瑞萨电子推出两款全新系列先进的低功耗SRAM

瑞萨电子株式会社（TSE：6723），先进半导体解决方案的领先供应商，今天宣布推出两款全新系列先进的低功耗SRAM（高级LP SRAM），低功耗SRAM的主导类型，发行旨在提供增强的可靠性和更长的备份电池寿命的应用，如工厂自动化（FA），工业设备，以及智能电网。采用110纳米（nm）工艺制造，新RMLV1616A系列16兆位（MB）的设备和RMWV3216A系列32 MB装置采用创新的存储单元技术，大幅提高了可靠性，并有助于延长电池的运行。

近来需求高安全性和可靠的用户系统被找到为高度可靠的SRAM，它被用来存储重要的信息，如系统程序和金融交易数据的需求增加。软错误（注1）所引起的α射线和宇宙中子射线的预防是一个显著的问题。典型的措施来解决这个问题包括嵌入纠错码（ECC）电路中的SRAM或用户的系统纠正可能发生的任何软错误。然而有限制，对ECC电路的错误纠正能力。例如，一些不能纠正影响多个位同时出错。

瑞萨的高级LP SRAM器件具有在他们的记忆细胞独家技术，可实现软错误性（注2）超过500倍，传统的全CMOS存储单元（注3）。这使得希望用于要求高可靠性，包括FA，测量设备，智能电网相关设备和工业设备，除了许多其他领域，如消费设备，办公设备，和通信设备领域使用。

新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列功能亮点：

（1）瑞萨科技的独家高级LP SRAM技术，显着提高软错误性和增强的可靠性

在Renesas高级LP的SRAM结构，一层叠电容器（注4）将被添加到存储器单元中的每个存储节点（注5）。该结构抑制了软错误的产生的水平，是有效的柔软无差错（注6）。此外，每个SRAM单元的负载晶体管（P沟道）是多晶硅薄膜晶体管（TFT）（注7），其层叠在形成于硅的N沟道MOS晶体管的顶部。仅在N沟道MOS晶体管被形成在下面的硅衬底上。这意味着，没有寄生晶闸管形成在该存储器区和理论上使得闩锁（注8）是不可能的。因此，高级LP的SRAM是非常适合于要求高可靠性，如FA，测量设备，智能电网相关的设备，交通系统和工业设备的应用程序。

（2）减少备用电流的一半以下的较早级为更长的备份电池使用寿命

新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的待机电流仅为0.5微安（μA）（典型值）为16 MB设备和1μA（典型值）为32 MB设备（注9）。这些低电流消耗水平是可比以往瑞萨SRAM产品（注10）的一半以下的水平，使得能够延长备用电池的使用寿命。保留数据当最小电源电压比可比以往瑞萨产品的2.0 V 1.5 V时，低。这可以帮助客户设计保留使用电池供电的数据系统。

（3）封装阵容

16 MB RMLV1616A系列有三种封装：48球FBGA，48引脚TSOP（I）和52引脚μTSOP（II），允许客户选择他们的应用程序最匹配的包。 32 MB RMWV3216A系列是提供48球FBGA封装。

请参阅单独的表为新的RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的主要规格。

价格及供货情况

在RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的样品将在9月上市。定价取决于能力。例如，16 MB RMLV1616A系列在美国的售价16.50美元单位，以及32 MB RMWV3216A系列以31美元每单位。大规模生产的两个系列的计划使用110纳米工艺开始于2015年十月量产已经开始为高级LP SRAM产品具有4兆和8兆比特的能力。

（注1）软错误：
当α射线和宇宙中子射线从外部源入射在硅衬底上发生的一种现象，产生了导致存储在所述存储器中的信息在基板内的电荷丢失。与此相反，以硬错误，例如在半导体元件物理故障，这是可重复的，软错误不可被再现，因此系统可以简单地通过重写数据恢复原来的状态。一般而言，软错误率增大作为制造过程变得更细。

（注2）基于瑞萨进行系统的软错误评估。

（注3）全CMOS存储单元：
其中总共有6个P沟道MOS晶体管和N沟道MOS晶体管的元件形成在硅衬底的同一平面上的SRAM的存储单元的配置。表面积大，并有一个闩锁风险。

（注4）堆叠电容：
电容器与多晶硅或金属形成的两个电极。这些电容器形成在硅衬底上的MOS晶体管的上层上。

（注5）内存节点：
触发器存储的信息为“高”或“低”电位的位各存储器单元内的电路节点。

（注6）瑞萨已经公布在其网站上的软错误的评价结果​​在采用先进的LP SRAM系统。这些评价是类似于普通用户的使用环境条件下运行一年多，并在结束时没有检测到错误。请参阅以下网址了解详细信息：
http://www.renesas.com/products/memory/low_power_sram/child/renesas_effort.jsp

（注7）薄膜晶体管（TFT）：
从薄膜多晶硅形成的晶体管。这些元件被用作对SRAM负载晶体管，形成在硅衬底上的MOS晶体管的顶层上。

（注8）闭锁：
在其中一个NPN或PNP结构（寄生双极晶体管）由CMOS晶体管的阱，硅衬底，P型扩散层和N型扩散层形成的现象进入接通状态，由于从电源到过电压或输入引脚，允许大电流在电源和接地之间流动。

（注9）在3.0伏的电源电压和25°C环境温度的参考值。

（注10）R1LV1616R系列和R1WV3216R系列，它采用了150纳米工艺。

关于瑞萨电子公司

瑞萨电子株式会社（TSE：6723），微控制器的全球头号供应商，也是先进半导体解决方案，包括微控制器，SoC解决方案和广泛的模拟和功率器件的主要供应商。商业运作开始，瑞萨电子于2010年4月，NEC电子株式会社（TSE：6723）的整合和瑞萨科技公司，其业务覆盖了研究，开发，设计和制造了广泛的应用。总部设在日本，瑞萨电子在20个国家设有分公司。更多信息，敬请访问www.renesas.com。

（注）所有的商标或注册商标均是其各自所有者的财产。

另纸
 
RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的主要规格
（16位和32兆位器件使用110 nm工艺）
 
电源电压：2.7 V至3.6 V
最小电压时保留数据：1.5伏