东芝公司推出面向高效高速开关应用的高压MOSFET系列

东芝美国电子元件公司（TAEC）今天宣布推出新的、面向开关稳压器设计的、超高效、高速、高压MOSFET。这4款N沟道器件（TK4A80E、TK5A80E、TK3A90E和TK5A90E）的额定电压为800V和900V，面向包括LED照明内反激式转换器、辅助电源和要求开关电流低于5.0A的其它电路在内的应用。

新型增强模式MOSFET基于东芝π-MOS VIII（PI-MOS-8） - 公司的第8代平面半导体工艺，集高单元集成水平和优化的单元设计于一身。这项技术支持比上一代工艺更低的栅极电荷和电容，而不会丧失低RDS(ON)的好处。

这些MOSFET为东芝现有的DTMOS IV系列800V超结DTMOS IV器件补充了小电流产品。2.5A TK3A90E和4.5A TK5A90E的VDSS额定值为900V，典型RDS(ON)额定值分别为3.7Ω和2.5Ω。4.0A TK4A80E和5.0A TK5A80E器件的VDSS额定值均为800V，典型RDS(ON)额定值分别为2.8Ω和1.9Ω。

东芝的新型高压MOSFET提供了仅10μA的（800V器件的VDS = 640V，900V器件的VDS = 720V）的超低最大泄漏电流和2.5V ~ 4.0V的栅极阈电压范围。所有器件均采用标准TO-220SIS封装。

主要特性

低漏源导通电阻
低泄漏电流
增强模式

封装和内部电路



主要技术规格