东芝扩展了新工艺80V N沟道功率MOSFET“U－MOSX－H系列”

东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）的新工艺80V N沟道功率MOSFET“U-MOSX-H系列”产品线中新增了四位“新成员”，该系列产品专门用于工业设备的开关式电源。其中，“TPH2R408QM”和“TPH4R008QM”采用SOP Advance(N)[1]贴片式封装技术实现焊盘图案的工业兼容性；“TPN8R408QM”和“TPN12008QM”采用TSON Advance封装技术。

通过采用最新工艺的U-MOSX-H制程和一种低压沟槽结构，这几款新产品具有行业领先的[2]低漏源导通电阻。同时，通过优化器件结构，还提高了导通电阻与输出电荷之间的互商性[3]，从而可减少导通损耗并有助于降低设备能耗。此外，这几款新产品沿袭了现有工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性，因此降低了“漏源导通电阻与栅极开关电荷的乘积”[4]，该值为开关应用领域的一个品质因数。

注：

[1] SOP Advance(N)：4.90×6.10mm（典型值）封装技术可实现焊盘图案的工业兼容性，优于SOP Advance。

[2] 截止2020年6月，在额定值相同的产品中。东芝调研。

[3] 相较于TPH4R008NH（U-MOSVIII-H系列），TPH2R408QM的“典型漏源导通电阻与典型输出电荷的乘积”约提高了31%。

[4] 相较于TPH4R008NH（U-MOSVIII-H系列），TPH2R408QM的“典型漏源导通电阻与典型栅极开关电荷的乘积”约降低了10%。

特性

●    行业最低水平的[2]导通电阻：

      ○ RDS(ON)＝2.43mΩ（最大值）@VGS＝10V（TPH2R408QM）

      ○ RDS(ON)＝4mΩ（最大值）@VGS＝10V（TPH4R008QM）

      ○ RDS(ON)＝8.4mΩ（最大值）@VGS＝10V（TPN8R408QM）

      ○ RDS(ON)＝12.3mΩ（最大值）@VGS＝10V（TPN12008QM）

●    低输出电荷、低栅极开关电荷

●    低栅极电压驱动（6V驱动）

应用

●    工业设备的开关电源

 （高效AC-DC逆变器，高效DC-DC逆变器等）

●    电机控制设备（电机驱动器等）

产品规格

内部电路

应用电路示例

注：

●    本文所示应用电路仅供参考。

●    需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。

●    提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。