Vishay推出了一种新型40V n沟道MOSFET半桥功率级

Vishay Intertechnology，Inc.​​推出了一种新型40 V n沟道MOSFET半桥功率级，该功率级可为白色家电以及工业，医疗，医疗保健，医疗保健，和电信应用程序。 Vishay Siliconix SiZ240DT在一个紧凑的PowerPAIR®3.3 mm x 3.3 mm封装中集成了高侧和低侧MOSFET，提供了同类最佳的导通电阻和导通电阻乘以栅极电荷的能力-用于MOSFET的关键品质指标（FOM）电源转换应用。

SiZ240DT中的两个TrenchFET®MOSFET内部以半桥配置连接。 SiZ240DT的通道1 MOSFET（通常用作同步降压转换器中的控制开关）在10 V时提供最大8.05mΩ的导通电阻，在4.5 V时提供12.25mΩ的最大导通电阻。通道2 MOSFET（通常是同步开关）在10 V时导通电阻为8.41mΩ，在4.5 V时导通电阻为13.30mΩ。这些值比最接近的竞争产品低16％。当与6.9 nC（通道1）和6.5 nC（通道2）的低栅极电荷结合使用时，所产生的导通电阻乘以栅极电荷FOM比次之的最佳器件低14％，从而为快速开关应用提供了更高的效率。

今天发布的双MOSFET比采用6mm x 5mm封装的双器件小65％，是市场上最紧凑的集成产品之一。除了用于同步降压，DC / DC转换的半桥功率级之外，它还为设计师提供了一种节省空间的解决方案，用于真空吸尘器，无人机，电动工具，家庭/办公室自动化和非植入式医疗设备中的电机控制，电信设备和服务器中的无线充电器和开关模式电源。

集成的MOSFET采用无导线内部结构，可将寄生电感降至最低，从而实现高频开关，从而减小了磁器件和最终设计的尺寸。其优化的Qgd / Qgs比降低了噪声，从而进一步增强了器件的开关特性。 SiZ240DT经过100％的Rg和UIS测试，符合RoHS要求，并且不含卤素。

新型双MOSFET的样品和量产批量现已提供，大宗订单的供货周期为12周。