Vishay Gen 3 650 V和1200 V SiC肖特基二极管在提高效率的同时增强电绝缘性

这些1 A和2 A器件采用小尺寸SlimSMA HV (DO-221AC)封装，提供了低电容电荷和3.2 mm的较大最小爬电距离

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出三款采用超小尺寸薄型SlimSMA HV（DO-221AC）封装的全新第三代 650 V和1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管---2 A的 VS-3C02EJ07-M3和1 A 的VS-3C01EJ12-M3以及2 A的VS-3C02EJ12-M3。这些器件采用合并PIN肖特基（MPS）设计，最小爬电距离为3.2 mm，融合低电容电荷与温度不变的开关特性等优点，可提高高速硬开关电源设计的效率。

对于高压应用，Vishay日前发布的器件的高爬电距离增强了电绝缘性能，而其SlimSMA HV封装采用CTI ³ 600的模制化合物，以确保出色的电绝缘性。对于空间受限的设计，这些二极管厚度仅为0.95 mm，而具有类似封装尺寸的SMA和SMB封装竞品的厚度为2.3 mm。

与硅二极管不同，VS-3C01EJ12-M3、VS-3C02EJ07-M3和VS-3C02EJ12-M3在任何温度下都能保持低至7.2 nC的低容性电荷，从而加快开关速度，降低功率损耗，提高高频应用的效率。此外，这些器件几乎没有恢复尾电流，从而进一步提高了效率，而其MPS结构可降低正向压降至1.30 V。

VS-3C01EJ12-M3、VS-3C02EJ07-M3和VS-3C02EJ12-M3的工作温度高达+175 °C，其典型应用包括服务器电源中使用的DC/DC和AC/DC转换器的自举二极管、防并联二极管和PFC二极管；发电和存储系统；工业驱动器和工具；以及X射线发生器。这些器件具有正温度系数，便于在这些应用中实现并联。

这些二极管符合RoHS标准，无卤素，湿度灵敏度等级为1，符合J-STD-020标准，并满足JESD 201第二类whisker 测试要求。

器件规格表：

新款SiC二极管现可提供样品并已实现量产，供货周期为14周。