“日前，VishayIntertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出十款新型650 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。
”日前，VishayIntertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出十款新型650 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，通过降低开关损耗提升高频应用能效，不受温度变化的影响—从而使二极管能够在更高的温度下工作。
日前发布的MPS二极管可屏蔽肖特基势垒产生的电场，减少漏电流，同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与硅肖特基器件相比，新型二极管处理电流相同的情况下，正向压降仅略有上升，坚固程度明显提高。
器件适用于服务器、电信设备、UPS和太阳能逆变器等应用领域的功率因数校正（PFC）续流、升降压续流和LLC转换器输出整流，为设计人员实现系统优化提供高灵活性。二极管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装，额定电流为4 A~40 A，可在+175 °C高温下工作。
器件规格表：
|
产品编号 |
IF(AV) (A) |
VRRM (V) |
25 °C, 10 ms下IFSM (A) |
IF和TJ下VF (典型值) |
TJ最大值 (°C) |
封装 | ||
|
VF (V) |
IF (A) |
TJ (°C) | ||||||
|
VS-C04ET07T-M3 |
4 |
650 |
26 |
1.75 |
4 |
150 |
175 |
2L TO-220AC |
|
VS-C06ET07T-M3 |
6 |
650 |
39 |
1.7 |
6 |
150 |
175 |
2L TO-220AC |
|
VS-C08ET07T-M3 |
8 |
650 |
57 |
1.7 |
8 |
150 |
175 |
2L TO-220AC |
|
VS-C10ET07T-M3 |
10 |
650 |
68 |
1.75 |
10 |
150 |
175 |
2L TO-220AC |
|
VS-C12ET07T-M3 |
12 |
650 |
80 |
1.65 |
12 |
150 |
175 |
2L TO-220AC |
|
VS-C16ET07T-M3 |
16 |
650 |
120 |
1.65 |
16 |
150 |
175 |
2L TO-220AC |
|
VS-C20ET07T-M3 |
20 |
650 |
160 |
1.6 |
20 |
150 |
175 |
2L TO-220AC |
|
VS-C16CP07L-M3 |
16 |
650 |
53 |
1.7 |
8 |
150 |
175 |
TO-247AD 3L |
|
VS-C20CP07L-M3 |
20 |
650 |
64 |
1.75 |
10 |
150 |
175 |
TO-247AD 3L |
|
VS-C40CP07L-M3 |
40 |
650 |
160 |
1.55 |
20 |
150 |
175 |
TO-247AD 3L |
新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产，供货周期为10周。
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