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ROHM新增5款100V耐压双MOSFET,以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸实现业界超低导通电阻

关键词:ROHM 耐压双MOSFET 导通电阻

时间:2023-08-10 10:50:06      来源:ROHM

近年来,在通信基站和工业设备领域,为了降低电流值、提高效率,以往的12V和24V系统逐渐被转换为48V系统,电源电压呈提高趋势。此外,用来冷却这些设备的风扇电机也使用的是48V系统电源,考虑到电压波动,起到开关作用的MOSFET需要具备100V的耐压能力。而另一方面,提高耐压意味着与其存在权衡关系的导通电阻也会提高,效率会变差,因此,如何同时兼顾更高耐压和更低导通电阻,是一个很大的挑战。

非常适用于通信基站和工业设备等的风扇电机,有助于设备进一步降低功耗和节省空间

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向通信基站和工业设备等的风扇电机驱动应用,开发出将两枚100V耐压MOSFET*1一体化封装的双MOSFET新产品。新产品分为“HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch)系列”和“HP8MEx(Nch+Pch*2)系列”两个系列,共5款新机型。

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近年来,在通信基站和工业设备领域,为了降低电流值、提高效率,以往的12V和24V系统逐渐被转换为48V系统,电源电压呈提高趋势。此外,用来冷却这些设备的风扇电机也使用的是48V系统电源,考虑到电压波动,起到开关作用的MOSFET需要具备100V的耐压能力。而另一方面,提高耐压意味着与其存在权衡关系的导通电阻也会提高,效率会变差,因此,如何同时兼顾更高耐压和更低导通电阻,是一个很大的挑战。风扇电机通常会使用多个MOSFET进行驱动,为了节省空间,对于将两枚芯片一体化封装的双MOSFET的需求增加。

在这种背景下,ROHM采用新工艺开发出Nch和Pch的MOSFET芯片,并通过采用散热性能出色的背面散热封装形式,开发出实现业界超低导通电阻的新系列产品。

新产品通过采用ROHM新工艺和背面散热封装,实现了业界超低的导通电阻(Ron)*3(Nch+Nch产品为HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ)。与普通的双MOSFET相比,导通电阻降低达56%,非常有助于进一步降低应用设备的功耗。另外,通过将两枚芯片一体化封装,可以减少安装面积,有助于应用设备进一步节省空间。例如HSOP8封装的产品,如果替换掉两枚单MOSFET(仅内置1枚芯片的TO-252封装),可以减少77%的安装面积。

新产品已于2023年7月开始暂以月产100万个(样品价格 550日元/个,不含税)的规模投入量产。另外,新产品已经开始通过电商进行销售,通过Ameya360电商平台均可购买。

目前,ROHM正在面向工业设备领域扩大双MOSFET的耐压阵容,同时也在开发低噪声产品。未来,将通过持续助力各种应用产品进一步降低功耗并节省空间,为解决环境保护等社会问题不断贡献力量。

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<产品阵容>

Nch+Nch 双MOSFET

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Nch+Pch 双MOSFET

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* 预计产品阵容中将会逐步增加40V、60V、80V、150V产品。

<应用示例>

・通信基站用风扇电机
・FA设备等工业设备用风扇电机
・数据中心等服务器用风扇电机

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<通过与预驱动器IC相结合,为电机驱动提供更出色的解决方案>

ROHM通过将新产品与已具有丰硕实际应用业绩的单相和三相无刷电机用预驱动器IC相结合,使电机电路板的进一步小型化、低功耗和静音驱动成为可能。通过为外围电路设计提供双MOSFET系列和预驱动器IC相结合的综合支持,为客户提供满足其需求且更出色的电机驱动解决方案。

与100V耐压双MOSFET相结合的示例

■HT8KE5(Nch+Nch 双MOSFET)和BM64070MUV(三相无刷电机用预驱动器IC)
■HP8KE6(Nch+Nch 双MOSFET)和BM64300MUV(三相无刷电机用预驱动器IC)等

<电商销售信息>

开始销售时间:2023年8月起
网售平台:Ameya360
新产品在其他电商平台也将逐步发售。

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<电机用新产品的规格书数据下载页面>

从ROHM官网可以下载包括新产品在内的低耐压、中等耐压和高耐压MOSFET的规格书。

https://www.rohm.com.cn/new-product/middle-power

<术语解说>

*1) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写)

金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是FET中最常用的结构。被用作开关器件。

*2) Pch MOSFET和Nch MOSFET

Pch MOSFET:通过向栅极施加相对于源极为负的电压而导通的MOSFET。可用比低于输入电压低的电压驱动,因此电路结构较为简单。

Nch MOSFET:通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。相比Pch MOSFET,漏极与源极之间的导通电阻更小,因此可减少常规损耗。

*3) 导通电阻(Ron)

使MOSFET启动(ON)时漏极与源极之间的电阻值。该值越小,运行时的损耗(电力损耗)越少。

【关于罗姆(ROHM)】

罗姆(ROHM)成立于1958年,由起初的主要产品-电阻器的生产开始,历经半个多世纪的发展,已成为世界知名的半导体厂商。罗姆的企业理念是:“我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难,都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品,并为文化的进步与提高作出贡献”。

罗姆的生产、销售、研发网络分布于世界各地。产品涉及多个领域,其中包括IC、分立式元器件、光学元器件、无源元器件、功率元器件、模块等。在世界电子行业中,罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许,成为系统IC和先进半导体技术方面的主导企业。

【关于罗姆(ROHM)在中国的业务发展】

销售网点:起初于1974年成立了罗姆半导体香港有限公司。在1999年成立了罗姆半导体(上海)有限公司, 2006年成立了罗姆半导体(深圳)有限公司,2018年成立了罗姆半导体(北京)有限公司。为了迅速且准确应对不断扩大的中国市场的要求,罗姆在中国构建了与总部同样的集开发、销售、制造于一体的垂直整合体制。作为罗姆的特色,积极开展“密切贴近客户”的销售活动,力求向客户提供周到的服务。目前在中国共设有20处销售网点,其中包括香港、上海、深圳、北京这4家销售公司以及其16家分公司(分公司:大连、天津、青岛、南京、合肥、苏州、杭州、宁波、西安、武汉、东莞、广州、厦门、珠海、重庆、福州)。并且,正在逐步扩大分销网络。

技术中心:在上海和深圳设有技术中心和QA中心,在北京设有华北技术中心,提供技术和品质支持。技术中心配备精通各类市场的开发和设计支持人员,可以从软件到硬件以综合解决方案的形式,针对客户需求进行技术提案。并且,当产品发生不良情况时,QA中心会在24小时以内对申诉做出答复。

生产基地:1993年在天津(罗姆半导体(中国)有限公司)和大连(罗姆电子大连有限公司)分别建立了生产工厂。在天津进行二极管、LED、激光二极管、LED显示器和光学传感器的生产,在大连进行电源模块、热敏打印头、接触式图像传感器、光学传感器的生产,作为罗姆的主力生产基地,源源不断地向中国国内外提供高品质产品。

社会贡献:罗姆还致力于与国内外众多研究机关和企业加强合作,积极推进产学研联合的研发活动。2006年与清华大学签订了产学联合框架协议,积极地展开关于电子元器件先进技术开发的产学联合。2008年,在清华大学内捐资建设“清华-罗姆电子工程馆”,并已于2011年4月竣工。2012年,在清华大学设立了“清华-罗姆联合研究中心”,从事光学元器件、通信广播、生物芯片、SiC功率器件应用、非挥发处理器芯片、传感器和传感器网络技术(结构设施健康监测)、人工智能(机器健康检测)等联合研究项目。除清华大学之外,罗姆还与国内多家知名高校进行产学合作,不断结出丰硕成果。

罗姆将以长年不断积累起来的技术力量和高品质以及可靠性为基础,通过集开发、生产、销售为一体的扎实的技术支持、客户服务体制,与客户构筑坚实的合作关系,作为扎根中国的企业,为提高客户产品实力、客户业务发展以及中国的节能环保事业做出积极贡献。

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