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onsemi NXH006P120MNF2PTG半桥SiC模块

时间：2023-08-31 14:22:18 来源：中电网

“安森美 (onsemi) NXH006P120MNF2PTG半桥SiC模块具有两个6mΩ 1200V SiC MOSFET开关和1个热敏电阻，采用F2封装。这些SiC MOSFET开关采用M1技术，由18V至20V栅极驱动。NXH006P120MNF2模块采用平面技术，裸片热阻低，因此可靠性高。典型应用包括直流-交流转换、直流-直流转换、能量存储系统、UPS、交流-直流转换、电动汽车充电站和太阳能逆变器。

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安森美 (onsemi) NXH006P120MNF2PTG半桥SiC模块具有两个6mΩ 1200V SiC MOSFET开关和1个热敏电阻，采用F2封装。这些SiC MOSFET开关采用M1技术，由18V至20V栅极驱动。NXH006P120MNF2模块采用平面技术，裸片热阻低，因此可靠性高。典型应用包括直流-交流转换、直流-直流转换、能量存储系统、UPS、交流-直流转换、电动汽车充电站和太阳能逆变器。

特性

稳健的M1平面SiC MOSFET技术
采用平面技术，裸片热阻低，因此可靠性高
18V至20V栅极驱动

20V工作电压，可降低损耗
18V，与其他模块兼容

规范

工作结温范围：-40°C至+175°C
漏极-源极电压：1200V

最大功耗：950W
连续漏极电流：304A

应用

直流-交流转换
直流-直流转换
交流-直流转换
UPS

储能系统
电动汽车充电站
太阳能逆变器

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