英诺赛科顶部冷却En－FCLGA封装产品将彻底改变太阳能和储能应用

关键词：氮化镓英诺赛科 INN100EA050DAD INN100EA070DAD

时间：2025-06-25 14:28:36 来源：中电网

“全球领先的氮化镓 (GaN) 供应商英诺赛科 (Innoscience) 宣布推出两款基于 100V 双冷却 En-FCLGA 封装的新产品：INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD，可实现太阳能微型逆变器、储能系统 (ESS)（直流输入）和最大功率点跟踪 (MPPT) 优化器的最高效率。

”

100V 新品发布

全球领先的氮化镓 (GaN) 供应商英诺赛科 (Innoscience) 宣布推出两款基于 100V 双冷却 En-FCLGA 封装的新产品：INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD，可实现太阳能微型逆变器、储能系统 (ESS)（直流输入）和最大功率点跟踪 (MPPT) 优化器的最高效率。

两款新品 INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD 使用与之前发布的产品INN100EA035A相同的封装（双冷En-FCLGA 3.3X3.3），这是业界首款硅场效应晶体管 (SFET) 的点对点 (P2P) 替代品，可立即提升效率并提高功率密度，在36V 至 80V 的输入条件下，系统功率损耗可降低 50% 以上。

英诺赛科领先的 Dual-Cool En-FCLGA 封装与传统的单冷却封装相比，导热率高出 65%，从而显著提高系统热性能、降低工作温度、提高效率并实现更高的功率密度（降低 BOM 成本）。

产品亮点

先进的100V E-mode GaN技术

• 极低的栅极电荷QG,typ @ VDS

• 超低的导通电阻RDS(on)

• 占板面积非常小

100V Dual-cool En-FCLGA

• En-FCLGA3.3X3.3

• Rdson_Max 5~7mohm

• 支持双面散热，可直接P2P Source down MOS

性能优势

• 超低导通电阻，帮助能量损耗大幅降低

• 超低驱动和开关损耗，减少了系统的能量损耗，提高系统的响应速度

• 紧凑尺寸设计，在空间有限的应用场景中优势明显

• 双面散热，提高散热效率，有效提升系统的可靠性和稳定性

应用优势

• PCB Layout友好，垂直电路路径设计，最小化了PCB寄生电阻

• 系统效率高，36V-80V输入，系统效率均大于95.5%

• 支持光伏优化器MPPT应用，全面提升效率、降低系统损耗

当前，英诺赛科Topside cooling En-FCLGA 3.3X3.3封装系列的三款产品INN100EA035A、INN100EA050DAD和INN100EA070DAD 均已成功量产，批量订单实现交付。

三款产品关键参数如下表所示：

Key performance parameters at TJ = 25 °C

此外，英诺赛科100V P2P Drain down MOS 的En-FCLGA 5X6封装产品组合也即将重磅发布，电阻涵盖1.8~5mohm，敬请期待！

详细资料及样品申请：jiaxinhuang@innoscience.com （或直接与销售联系）

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