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Nexperia推出1200 V SiC肖特基二极管,扩展宽禁带产品组合,赋能大功率基础设施

关键词:Nexperia 肖特基二极管 SiC PSC20120J

时间:2025-07-11 15:36:40      来源:中电网

Nexperia今日宣布,在其持续壮大的功率电子器件产品组合中新增两款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二极管。PSC20120J和PSC20120L专为满足工业应用中对超低功耗整流器的需求而设计,可在高能效能量转换场景中发挥关键作用。这类器件尤其适用于高功率人工智能(AI)服务器基础设施和电信设备电源及太阳能逆变器的应用。

Nexperia今日宣布,在其持续壮大的功率电子器件产品组合中新增两款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二极管。PSC20120J和PSC20120L专为满足工业应用中对超低功耗整流器的需求而设计,可在高能效能量转换场景中发挥关键作用。这类器件尤其适用于高功率人工智能(AI)服务器基础设施和电信设备电源及太阳能逆变器的应用。

 

新款肖特基二极管具备不受温度影响的容性开关和零恢复性能,提供先进的性能以及出色的品质因数(QC  x VF)。此外,其开关性能几乎不受电流和开关速度变化的影响。这些器件采用的合并PiN肖特基(MPS)结构带来更多优势,例如凭借高峰值正向电流(IFSM)展现出卓越的浪涌电流耐受能力。这一特性减少了对额外保护电路的需求,显著降低系统复杂度,使工程师能够在高压应用中以更小尺寸实现更高效率。

 

PSC20120J采用真双引脚D2PAK  R2P (TO-263-2)表面贴装(SMD)功率塑料封装,而PSC20120L则采用真双引脚TO247  R2P (TO-247-2)通孔功率塑料封装。这些热稳定封装可在高达175℃的工作温度下提升器件在高压应用中的可靠性。作为高品质半导体产品的成熟制造商,Nexperia凭借强大供应链支持的多种半导体技术赢得市场信赖,这进一步为设计者提供了保障。

 

欲了解有关Nexperia SiC肖特基二极管产品组合的更多信息,

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