TD150NH02L:24V/150A功率MOSFET

关键词：电源

时间：2003-11-05 13:49:00 来源：中电网

“漏源电压24V,最大漏极电流150A, 导通电阻0.0035欧姆

”

10月24日讯,ST公司推出有很低导通电阻,降低栅极电荷和低的热阻的N沟MOSFET STD150NH02L,特别适用于大电流DC/DC转换器.

STD150NH02L的漏源电压为24V,最大的漏极电流ID为150A.在这些额定值时,导通电阻RDS(on)为0.0035欧姆,而在10V时,RDS(on)为0.00309欧姆,5V时为0.0050欧姆.这些导通电阻能降低导通时的损耗.该器件还有低的栅极电荷QG,这使开关损耗降低.此外,该器件还具有低的热阻,改善它的电流处理能力.

STD150NH120L是采用第三代ST的StripFET工艺制造,这种0.6um工艺采用独特的金属化技术和无键合装配技术,以从DPAK封装中得到良好的性能.这使该器件特别适用于大电流输出的高效率转换器.
下图为产品外形图.详情请上网:www.st.com

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