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”| 摩托罗拉半导体事业部和摩托罗拉实验室合作推出了1M位磁阻随机存储器(MRAM)通用存储芯片。 |
| 1M位MRAM存储器能消除电子设备中共同问题，如计算机和手机的上电慢，数据遗失，装载数据长时间等待，电池寿命短等。MRAM设计成允许所有的程序和数据保持在局部的存储器，即使在电源关断时。它也能期望消除手机开机时的延时。 |
| 存储器芯片技术能把多种存储器集成在单一芯片中。不需要多种类型存储器导致更小型的产品，更多的功能。 |
MWAM技术也给汽车工业带来好处。它能用来满足智能卡的需要，这种智能卡需要有效和成本效率的非挥发性的存储器，它能工作在高速度，在读写周期有大交换量。它也有可能改善诸如通信和无钥匙开车门的功能。公司计划在2004年大量生产。 |
| 摩托罗拉公司成功地演示它的用一个晶体管(1T)和一个磁隧道结(MTJ)组成的1M位MRAM，其读写周期小于50ns。64K位X16位存储器的设计是根据0.6umCMOS工艺，在200mm衬底用铜互连来制造。在铜互连导线上的磁性材料覆层结构能减少写入程序所需功率四倍。详情请上网：www.motorola.com/semiconductors。 |
2002.07.12 |
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