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”| 12月16日讯，Agilent公司推出业界最高输出功率，动态范围和效率(PAE)的增强型假高电子迁移率晶体管(E-pHEMT)场效应晶体管(FET)ATF-511P8，它是无引线的微型塑料芯片承载封装，用在高达6GHz的无线应用。 在2GHz，单电源4.5V工作的ATF-511P8 E-pHEMT FET在1dB增益压缩时的输出功率为30dBm，41.7dBm三阶输出截距点(OIP3)和69%的电源附加效率(PAE)，噪音为1.4dB。该器件能用在900MHz，1.9GHz 和2.1GHz手机/PCS频段以及定点无线，WLAN和工作在50MHz-6GHz范围的其它设备。它的微型封装节省了PCB的空间。 ATF-511P8是驱动放大器或前置驱动放大器以及手机/PCS/WCDMA和GSM/EGSM(扩展GSM)无线基站前端低噪音放大器(LNA)的Q2和Q3级的理想解决方案。它也是无线局域网(WLAN)，无线区域网(WLL)和多通道多点分布系统(MMDS)/无线线缆应用中发送器驱动器的极好选择。 Agilent公司依然是单电源工作的E-pHEMT器件的唯一供应商。Agilent公司的新型E-pHENT器件具有单电源工作，高电源效率和超常的RF性能，是替代单电源有高噪音的HBT和双电源PHEMT以及GaAs HFET(异质结构FET)器件的理想选择。 ATF-511P8 E-pHEMT FET封装在2.0x2.0x0.75mm紧凑的8引脚工业标准的无引线塑料芯片承载JEDEC DRP-N LPCC封装里。FET有很高的可靠性，装备上温度为85度C的预测的单点MTTF(平均失效时间)超过300年。 现在可供ATF-511P8，5000-9999数量的单价为$2.79。详情请上网：www.agilent.com/view/rf |
2002.12.20 |
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