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低噪音硅锗晶体管使手机有GPS功能

关键词：手机

时间：2003-02-18 13:56:00 来源：中电网

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2月3日讯，东芝公司推出业界最低噪音的高频硅锗(SiGe)RF晶体管，它的噪音和昂贵得多的GaAs 晶体管差不多。新型晶体管目标应用在无线局部网(WLAN)和全球定位系统(GPS)中的超高频低噪音放大器(LNA)，GPS将会作为E-911特性部件安装在手机中。

东芝这种SiGe器件，噪音为0.52dB，采用价格上有竞争力的硅衬底实现GaAs晶体管一样的噪音性能，而价格只有GaAs的一半。东芝的第二代SiGe晶体管增益高而噪音低，也有两种型号：最佳的低噪音或最佳的高增益。该器件还有的优点是封在东芝的TESQ封装，这是业界最小的4引脚封装：1.2x1.2x0.52mm，比目前的4引脚封装小35%。

2月3日讯，东芝公司推出业界最低噪音的高频硅锗(SiGe)RF晶体管，它的噪音和昂贵得多的GaAs 晶体管差不多。新型晶体管目标应用在无线局部网(WLAN)和全球定位系统(GPS)中的超高频低噪音放大器(LNA)，GPS将会作为E-911特性部件安装在手机中。

东芝这种SiGe器件，噪音为0.52dB，采用价格上有竞争力的硅衬底实现GaAs晶体管一样的噪音性能，而价格只有GaAs的一半。东芝的第二代SiGe晶体管增益高而噪音低，也有两种型号：最佳的低噪音或最佳的高增益。该器件还有的优点是封在东芝的TESQ封装，这是业界最小的4引脚封装：1.2x1.2x0.52mm，比目前的4引脚封装小35%。

类型	工艺	VCEO	VCEO	噪音	增益	封装尺寸
超低噪音	SiGe 外延双极晶体管	SiGe 外延双极晶体管	3.0V	0.52dB @2V/10mA/2GHz	17dB@2V/20mA/2GHz	4引脚 TESQ1.2mm x 1.2mm x0.52mm
超高频率	SiGe外延双极晶体管	SiGe外延双极晶体管	3.0V	0.62dB @2V/5mA/2GHz 1.16dB @2V/5mA/5.2GHz	19dB@2V/10mA/2GHz 13dB@2V/10mA/5.2GHz	4引脚TESQ1.2mm x 1.2mm x 0.52mm

2003年三月可提供第二代SiGe晶体管的样品，批量将在2003年九月。样品价格为$0.42。详情请上网：www.toshiba.com/taec/

2003.02.18

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