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WARP2:600V/50A不穿通的IGBT

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时间：2003-02-28 10:58:00 来源：中电网

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2月23日讯，IR公司推出新型WARP2 600V 50A，35A和20A不穿通(NPT)的IGBT，改善了通信和服务器系统中大电流高频开关电源(SMPS)的关断性能。新型NPT IGBT以比功率MOSFET更好的性/价比提供性能和效率。WARP2 IGBT和HEXFRED二极管共同封在一起，和早期的在功率MOSFET集成的体二极管相比，有更好的性能。新器件的封装有两种：TO-247和TO-220。

新型WARP 2 IGBT采用IR的薄硅晶片技术制造，能保证少数载流子的耗尽时间更短，从而加快关断。此外，可以忽略关断尾巴电流，关断开关损耗低或EOFF，使设计者能达到更高的工作频率。

开关性能的改进以及正热系数特性以及更低栅极导通电荷，有更高的电流密度。WARP2 IGBT在并联工作时有极好的电流分享特性，如功率MOSFET一样。和功率MOSFET不同，IGBT的导通损耗基本上保持平坦。

新型SMPS NPT IGBT在TO-247封装能处理50A的电流，比同样封装的IR公司的600V MOSFET多25%的电流容量。在TO-220封装，能处理20A电流，比IR的 600V MOSFET能处理多18%的电流。

下表为该产品的主要性能：

型号	封装	VCES	IC @ 25oC	VCE(on) typ	共封装二极管	Qg
IRGP50B60PD1	TO-247	600	50A	2.0V @33A	15A	205nC
IRGP35B60PD	TO-247	600	35A	1.85V @22A	15A	160nC
IRGP20B60PD	TO-247	600	20A	2.05V @13A	8A	68nC
IRGB20B60PD1	TO-220	600	20A	2.05V @13A	4A	68nC

现在可提供NPT IGBT样品。10K量的IRGB20B60PD1单价为$1.03。下图为产品外形图。详情请上网：www.irf.com

2003.02.28

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