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”| 3月七日讯，Hynix半导体公司推出业界首个百万位可商用的铁电随机存储器(FeRAM)，它是非易失性的低功耗高密度和高速度的存储器，很适合用在下一代移动设备和SoC应用。 推出的4Mb和8Mb密度，采用先进的0.25微米工艺制造，FeRAM工作在3.0V电压，数据存取速度为70ns，能进行1000亿次读/写操作。 和现有的两个晶体管和两个电容的结构不同，新推出的FeRAM采用一个晶体管和一个电容(1T1C)单元结构，以得到百万级的密度，工作电压可低于1.0V，超出传统的FeRAM的限制。此外，由于采用新电路和铁电材料BLT(钛酸铋镧)，Hynix能大大地改善了FeRAM的稳定性和器件可靠性，从而减小芯片的尺寸。 采用新开发的技术，FeRAM能扩充至64Mb而不会增加开发成本。Hynix期望FeRAM能成为嵌入式应用的主要存储器产品。该产品能用在移动和多媒体方面的应用如手机，PDA，智能手机和智能卡，估计在2006年能有$100亿的市场。 下图为产品的外形图。详情请上网：www.hynix.com |
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2003.03.11 |
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