NB60S:200A低压降IGBT

关键词：电源

时间：2003-04-08 14:44:00 来源：中电网

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3月21日讯，ST公司推出200A电流的IGBT系列STGE200NB60S，在大电流时的正向压降很低。这种器件保证有低的导通损耗而没有采用重金属掺杂或电辐射的方法来降低少数载流子的寿命。该器件可用在铝焊接机和感应加热设备以及不间断电源(UPS)和开关电源(SMPS)。

STGE200NB60S是ST公司PowerMESH IGBT系列中一员，它采用专利的带状布局。"网孔覆盖"技术是基于带状的新型高压工艺，它由扩散到IGBT N型外延层的P型网孔结构组成。N+带状代替单元，使器件的发射极直接扩散进P网孔层。这层N通道部分在10KHz的工作频率能得到最佳的低导通压降。

在600V和100A，工作温度100度时，VCE(sat)小于1V。在200A和工作温度25度，VCE(sat)依然小于1.3V。STGE200NB60S是绝缘的ISOTOP封装。下图为产品的外形图。详情请上网：www.st.com

2003.04.08

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