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”| 5月21日讯，Fairchild半导体公司(Fairchild Semiconductor International)推出两种高效率的耗散功率1.8W的30V, 9mW N-MOSFET FDC796N和100V, 70mW N-MOSFET FDC3616N。它们很适合用在小形状尺寸的DC/DC转换器，比如从通信设备和互联网集线器以及路由器到仪表和自动测试设备(ATE)中的电源。 FDC769N和FDC3616N是Fairchild的最新功率MOSFET，它采用PowerTrench?技术和先进的SuperSOT?-6 FLMP(倒装引线模块封装)，比通常的SO-8封装，其封装面积小70%。两种FDC769N和FDC3616N的导通电阻极低，栅极电荷也很低(典型值分别为14nC 和23nC)，封装面积为9平方毫米。 Fairchild有专利的FLMP封装，消除了通常的引线键合，在PCB和MOSFET芯片(漏极)间有极短的热阻通道，和其它许多MOSFET封装相比，在降低电和热特性限制方面大大地改善了性能。例如，FDC796N的PCB面积比有同样热阻特性的SO-8封装的小三倍。而通信和其它应用的砖型转换器的发展趋势是要小1/8和1/16。采用FDC3616作为初级边开关，FDC796N为同步整流器，可以得到小型48V电源输入的"板上"DC/DC转换器，体积只有平常的一半。此外，30V FDC796N也很适合用在同步降压点负载(POL)，其电源的开关频率可高达1MHz。在这方面应用，SSOT-6 FLMP封装对低栅极电荷，低栅极电阻MOSFET工艺进一步改善，从而使开关损耗得到进一步降低。 现在可提供样品。1K量的FDC769N的单价为$1.06，FDC3616N为$0.90。下图为产品外形图。详情请上网：www.fairchildsemi.com |
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