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ATF-50189:高度线性的E-pHEMT FET

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时间:2004-03-03 14:41:00      来源:中电网

2月26日讯,Agilent公司推出有最高线性度的E-pHEMT FET ATF-50189,采用4.5x4.1x1.5mmSOT-89 SMT封装.它可用在无线基础设备,简化了450MHz到6GHz基站的升级,以得到更高的通道容量.

ATF-50189设计用在蜂窝和PCS基站,低轨道卫星系统,陆地多通道分布系统(MMDS)和其它工作在450MHz到6GHz的通信设备中的发送功率放大器和接收低噪音放大器.

ATF-50189在2GHz的3阶输出截点(OIP3)为45dBm,使得多通道放大器更有效,能处理更多容量的语音和数据通道.它的热阻仅为29度C/W,这意味着在85度C环境温度能耗散近2W的功率,维持芯片能有高可靠性的温度.在2GHz,ATF-50189的其它指标包括有线性输出功率(P1dB)典型值为29dBm,增益为15.5dB,功率附加效率(PAE)为62%,噪音为1.1dB.

Agilent的E-pHEMT器件具有单电压工作特性.采用单电源工作,具有高的效率和优异的RF性能,是替代有更高噪音的单电源HBT(异质结双极晶体管)和双电源的传统PHEMT和GaAs HFET(异质结构FET)两种器件的合理选择.

5000-9999个数量时,ATF-50189的单价为$3.18.下图为产品外形图.详情请上网:www.agilent.com
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