AT60142E:空间应用耐辐射4Mb SRAM

关键词：存储器

时间：2004-05-04 00:00:00 来源：中电网

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3月15日讯,Atmel公司推出新的耐辐射的4Mb SRAM AT60142E,能满足航空航天应用严格的辐射,性能,尺寸和重量的要求.

AT60142E采用耐辐射的0.25um CMOS工艺制造,功耗非常低,结构为512Kx8位. AT60142E耐辐射的闩锁(Latch up)阈值和总剂量分别大于70MeV和300K拉德(rad),在整个军用温度内存取时间20ns .AT60142E是能应用在快速计算和低功耗的解决方案如航空电子,手提仪表或船上系统.

为了优化AT60142E功耗,芯片外设工作在3.3V,而内部调整器是存储器单元工作在2.5V.因此,在板级上采用单一电源,使设备制造商能很容易在任何的空间设计中采用AT60142E.它的封装是6引脚500密米宽的DIP扁平封装,它的重量仅为3克,满足航空宇宙工业的尺寸和重量的严格要求.
现在可提供AT60142E货源.详情请上网:www.atmel.com

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