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IRF7842:40V N沟HEXFET功率MOSFET

关键词：电源

时间：2004-05-21 13:21:00 来源：中电网

“150W满负载时的效率达到95.2%,10V时的导通电阻5毫奥姆.

”

5月19日讯,IR公司推出新型40V同步整流MOSFET IRF7842,它是40V N沟HEXFET功率MOSFET,最佳用在通信系统的绝缘DC/DC转换器.

当IRF7842用在通信和网络系统的次级同步整流电路时,40V的额定电压能增加转换器的可靠性,因为这些系统的输入电压在36V到75V.这个额定值能开发出次级电压5V到12V,因此需要40V的MOSFET,因为30V的额定指标不能提供所需电压额定的富余度.新的40V器件则能提供用在通信系统的次级功率管理开关器件.

当用在绝缘DC/DC总线转换器的次级同步整流时,IRF8742在150W满负载时的效率达到95.2%.和用在同样DC/DC总线转换器的工业标准40V器件相比时,IRF7842的效率能高出0.5%.

IRF7842有最佳的导通电阻和总的栅极电荷.IRF7842是标准的SO-8封装,简化了现有设计的升级通路.下表是它的主要技术性能:

型号	BVDSS	VGS	10V时的最大RDS(on)	4.5V时最大RDS(on)	50%VDS的Qg(典型)	QGD (典型)	封装
IRF7842	40V	+/-20V	5mOhm	5.9mOhm	33nC	10nC	SO-8

下图为产品外形图.详情请上网:www.irf.com

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