“Samsung公司宣布将会采用更好的工作效率和增强性能的90m工艺,开始批量生产单片1Gb DDR2 DRAM芯片.
”6月23日讯,Samsung公司宣布将会采用更好的工作效率和增强性能的90m工艺,开始批量生产单片1Gb DDR2 DRAM芯片. 在未来两年,Samsung期望,90nm 1Gb DRAM将会成为主要的存储器产品.它比现在任何一种DRAM芯片,有更低的功耗,提供更好的信号完整性和最好的整体性能.DDR1和DDR2存储器芯片的1Gb DRAM,是Samsung存储器业务的迅速增长部分.到今年底,采用90nm工艺的1Gb DRAM,每月的产量将达到100万块.根据Dataquest的市场分析,1Gb DRAM将会迅速增长,从2005年的$13亿增加到2008年的$170亿,年增长量(CAGR)为105%. K4H1G0838M是1,073,741,824位双数据速率同步DRAM,结构为4 x 67,108,864 / 4 x 33,554,432 字X4 / 8位,采用Samsung的高性能CMOS工艺制造.它的主要性能如下: 双数据速率架构,每时钟周期传输两个数据, 双向数据选通(DQS)(X4,X8)和[L(U)DQS] (x16), 四组工作, 差分时钟输入(CK和/CK), CK瞬变时,DLL和DQ和DQS瞬变对准, 有地址键编程的MRS周期, 读等待2,2.5周期(时钟), 突发长度(2,4,8), 突发类型(顺序和插入), 除了数据和DM外的所有输入,在系统时钟(CK)的上升沿取样, 数据I/O在数据选通的两个边沿处理, 边沿对准数据输出,中心对准数据输入, LDM,UDM仅用于掩模写入(x16),DM仅用于掩模写入(x4,x8), 自动和自身刷新, 7.8us刷新间隔(8K/64ms刷新), tRFC(行刷新时间)=120ns, 66引脚TSOP II 有铅或无铅封装. 下图为产品外形图.详情请上网:www.samsung.com |
6月23日讯,Samsung公司宣布将会采用更好的工作效率和增强性能的90m工艺,开始批量生产单片1Gb DDR2 DRAM芯片. 在未来两年,Samsung期望,90nm 1Gb DRAM将会成为主要的存储器产品.它比现在任何一种DRAM芯片,有更低的功耗,提供更好的信号完整性和最好的整体性能.DDR1和DDR2存储器芯片的1Gb DRAM,是Samsung存储器业务的迅速增长部分.到今年底,采用90nm工艺的1Gb DRAM,每月的产量将达到100万块.根据Dataquest的市场分析,1Gb DRAM将会迅速增长,从2005年的$13亿增加到2008年的$170亿,年增长量(CAGR)为105%. K4H1G0838M是1,073,741,824位双数据速率同步DRAM,结构为4 x 67,108,864 / 4 x 33,554,432 字X4 / 8位,采用Samsung的高性能CMOS工艺制造.它的主要性能如下: 双数据速率架构,每时钟周期传输两个数据, 双向数据选通(DQS)(X4,X8)和[L(U)DQS] (x16), 四组工作, 差分时钟输入(CK和/CK), CK瞬变时,DLL和DQ和DQS瞬变对准, 有地址键编程的MRS周期, 读等待2,2.5周期(时钟), 突发长度(2,4,8), 突发类型(顺序和插入), 除了数据和DM外的所有输入,在系统时钟(CK)的上升沿取样, 数据I/O在数据选通的两个边沿处理, 边沿对准数据输出,中心对准数据输入, LDM,UDM仅用于掩模写入(x16),DM仅用于掩模写入(x4,x8), 自动和自身刷新, 7.8us刷新间隔(8K/64ms刷新), tRFC(行刷新时间)=120ns, 66引脚TSOP II 有铅或无铅封装. 下图为产品外形图.详情请上网:www.samsung.com |
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