“IR公司推出200V控制集成电路IRS20124S,特别设计用在每路高达500W D类音频放大器电路.集成的特性如可调整死区发生和双向过流传感保护了放大器系统.此外,这些特性允许音频设计者简化家庭娱乐系统,音频-视频接收器和汽车电子音频系统的电路和最小化元件数量.
”9月16日讯,IR公司推出200V控制集成电路IRS20124S,特别设计用在每路高达500W D类音频放大器电路.集成的特性如可调整死区发生和双向过流传感保护了放大器系统.此外,这些特性允许音频设计者简化家庭娱乐系统,音频-视频接收器和汽车电子音频系统的电路和最小化元件数量. 内部可选择死区发生电路是热补偿以得到稳定性,对噪音和电源电压起伏有免疫性,有助于改善总谐波失真或THD. IRS20124S有内置的双向电流传感,并和集成的关断功能一起,当过流情况出现时如扬声器线圈短路,以保护输出MOSFET.下表是IRS20124S的主要性能:
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现在可提供新型IRS20124S D类音频高压控制IC.器件是无铅和RoHS兼容的.14引脚SOIC的IRS20124S,10K量的单价为$1.50.下图为产品外形图.详情请上网:www.irf.com | |
9月16日讯,IR公司推出200V控制集成电路IRS20124S,特别设计用在每路高达500W D类音频放大器电路.集成的特性如可调整死区发生和双向过流传感保护了放大器系统.此外,这些特性允许音频设计者简化家庭娱乐系统,音频-视频接收器和汽车电子音频系统的电路和最小化元件数量. 内部可选择死区发生电路是热补偿以得到稳定性,对噪音和电源电压起伏有免疫性,有助于改善总谐波失真或THD. IRS20124S有内置的双向电流传感,并和集成的关断功能一起,当过流情况出现时如扬声器线圈短路,以保护输出MOSFET.下表是IRS20124S的主要性能:
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