“三款新型高性能音频模拟开关，设计用作低工作电压下便携式与无线应用中音频信号的大电流开关.
”1月12日讯, 安森美半导体(ON Semiconductor)公司推出三款新型低阻抗模拟开关NLAS3799MNR2G, NLAS5223MNR2G和NLAS5123MNR2G,用于便携式与无线音频应用。新器件有无铅薄型QFN / 薄型DFN连两种封装，封装占用了1.2 mm2 到 4.7 mm2间的板空间。6引脚、10引脚及16引脚的新器件是业内最小和最高性能音频模拟开关,比同类产品要小70%. 三款新型高性能音频模拟开关，设计用用低工作电压下便携式与无线应用中音频信号的高电流开关。这些器件是需要低导通阻抗（Ron）的高功率音频应用的理想选择，可改善功率效率。其目标应用包括蜂窝电话、PDA及MP3播放器。NLAS3799MNR2G是低电压，超低Ron，双路双刀双掷(DPDT)开关。具有0.11%的总谐波失真和0.35Ohm的低Ron，可实现出众的音频性能与低功耗。此外，NLAS3799LMNR2G（低电压逻辑电平版）可运行在1.8V输入摆幅。这些器件以无铅16引线薄型QFN封装，尺寸为2.6 mm x 1.8 mm x 0.75 mm，比同类竞争产品节省了48%的板空间。批量10000件时，单件定价0.97美元。 NLAS5223MNR2G是低电压，超低Ron，双路单刀双掷(SPDT)开关。此模拟开关可实现更低的Ron性能，比非常受欢迎的NLAS4684MNR2G的占位面积要低70%。具有0.12%的总谐波失真和0.35Ohm的低Ron，可实现出众的音频性能与低功耗。此外NLAS5223LMNR2G低电压逻辑电平版可运行在1.8V输入摆幅。该器件以无铅10引线薄型QFN封装，尺寸为1.4 mm x 1.8 mm x 0.75 mm，批量10000件时，单件定价0.67美元。 NLAS5123MNR2G是1ohm Ron，单路单刀双掷(SPDT)模拟开关，具有0.012 %的总谐波失真及常断开特性。该器件以无铅6引线薄型DFN封装，尺寸为1.2 mm x 1.0 mm x 0.75mm，比同类产品要降低53%.批量10000件时，单件定价0.56美元。 下图为产品外形图.详情请上网：http://www.onsemi.com |
| 1月12日讯, 安森美半导体(ON Semiconductor)公司推出三款新型低阻抗模拟开关NLAS3799MNR2G, NLAS5223MNR2G和NLAS5123MNR2G,用于便携式与无线音频应用。新器件有无铅薄型QFN / 薄型DFN连两种封装，封装占用了1.2 mm2 到 4.7 mm2间的板空间。6引脚、10引脚及16引脚的新器件是业内最小和最高性能音频模拟开关,比同类产品要小70%.三款新型高性能音频模拟开关，设计用用低工作电压下便携式与无线应用中音频信号的高电流开关。这些器件是需要低导通阻抗（Ron）的高功率音频应用的理想选择，可改善功率效率。其目标应用包括蜂窝电话、PDA及MP3播放器。 NLAS3799MNR2G是低电压，超低Ron，双路双刀双掷(DPDT)开关。具有0.11%的总谐波失真和0.35Ohm的低Ron，可实现出众的音频性能与低功耗。此外，NLAS3799LMNR2G（低电压逻辑电平版）可运行在1.8V输入摆幅。这些器件以无铅16引线薄型QFN封装，尺寸为2.6 mm x 1.8 mm x 0.75 mm，比同类竞争产品节省了48%的板空间。批量10000件时，单件定价0.97美元。 NLAS5223MNR2G是低电压，超低Ron，双路单刀双掷(SPDT)开关。此模拟开关可实现更低的Ron性能，比非常受欢迎的NLAS4684MNR2G的占位面积要低70%。具有0.12%的总谐波失真和0.35Ohm的低Ron，可实现出众的音频性能与低功耗。此外NLAS5223LMNR2G低电压逻辑电平版可运行在1.8V输入摆幅。该器件以无铅10引线薄型QFN封装，尺寸为1.4 mm x 1.8 mm x 0.75 mm，批量10000件时，单件定价0.67美元。 NLAS5123MNR2G是1ohm Ron，单路单刀双掷(SPDT)模拟开关，具有0.012 %的总谐波失真及常断开特性。该器件以无铅6引线薄型DFN封装，尺寸为1.2 mm x 1.0 mm x 0.75mm，比同类产品要降低53%.批量10000件时，单件定价0.56美元。 下图为产品外形图.详情请上网：http://www.onsemi.com |
分享到：
猜你喜欢
中电网官方微博