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Vishay双高压Trench MOS肖特基势垒整流器

关键词:电源 MOSFET

时间:2006-01-29 13:36:00      来源:中电网

采用TO-220AB封装,额定电流为40A(2 x 20A),额定电压为100V,该器件专门针对100W~300W的高频开关电源应用.

2005年12月21日讯,Vishay公司推出业界首款基于 Trench MOS 技术的肖特基势垒整流器VTS40100CT。这五款新型TMBS器件可在开关模式电源中作为整流电路或 OR-ing二极管,或可替代同步整流解决方案,它们在同类型封装的肖特基二极管中具有最低的正向压降0.375V.

VTS40100CT 是市场上第一款此类器件,其采用 TO-220AB 封装,额定电流为40A (2 x 20A),额定电压为100V,该器件专门针对100W~300W的高频开关电源应用而进行了优化。其在5A及125°C时0.375V的超低典型正向压降可减少传导功率损失。VTS40100CT 还可在冗余开关模式电源的高压输出中提高OR-ing二极管的效率。

新型V40100P的额定电流和电压也分别为40A(2 x 20A) 和100V,其采用TO-247AD 封装,在相同条件下,该器件的正向压降更低,为0.372V。V50100P 的正向压降与 V40100P 相同,该器件也采用 TO-247AD 封装,其额定电流更高,为50A (2 x 25A)。

V30100S 与 VF30100S 的额定电流和电压均分别为 30A (1 x 30A) 和 100V,在 5A 及 125°C 时,这两个器件的典型正向压降均为 0.385V。V30100S 采用 TO-220AB 封装,而 VF30100S 采用完全铸模的 ITO-220AB 封装。

新型Vishay Trench MOS 肖特基势垒(TMBS)整流器一览表

凭借高效的开关性能,这些新型肖特基势垒整流器是平面肖特基器件的出色替代方案。它们还可匹配同步整流解决方案的效率及热性能,减少热量产生,从而减少电源产生的热量。通过减少部件数来实现这些相同功能,它们还实现了 PCB 空间的节约,从而简化了设计,降低了 OEM 厂商的成本。

这些新型整流器的额定工作温度符合 -20°C~+150°C 的结温范围。其应用包括用于台式电脑与笔记本电脑、服务器、等离子显示面板与液晶电视以及电脑显示器的开关模式电源及电源适配器。它们还可用于电信系统冗余 SMPS 中的 OR-ing 二极管应用。

目前,这些整流器的样品和量产批量均可提供,大宗订单的供货周期为8周。下图为产品外形图.详情请上网:www.vishay.com

2005年12月21日讯,Vishay公司推出业界首款基于 Trench MOS 技术的肖特基势垒整流器VTS40100CT。这五款新型TMBS器件可在开关模式电源中作为整流电路或 OR-ing二极管,或可替代同步整流解决方案,它们在同类型封装的肖特基二极管中具有最低的正向压降0.375V.

VTS40100CT 是市场上第一款此类器件,其采用 TO-220AB 封装,额定电流为40A (2 x 20A),额定电压为100V,该器件专门针对100W~300W的高频开关电源应用而进行了优化。其在5A及125°C时0.375V的超低典型正向压降可减少传导功率损失。VTS40100CT 还可在冗余开关模式电源的高压输出中提高OR-ing二极管的效率。

新型V40100P的额定电流和电压也分别为40A(2 x 20A) 和100V,其采用TO-247AD 封装,在相同条件下,该器件的正向压降更低,为0.372V。V50100P 的正向压降与 V40100P 相同,该器件也采用 TO-247AD 封装,其额定电流更高,为50A (2 x 25A)。

V30100S 与 VF30100S 的额定电流和电压均分别为 30A (1 x 30A) 和 100V,在 5A 及 125°C 时,这两个器件的典型正向压降均为 0.385V。V30100S 采用 TO-220AB 封装,而 VF30100S 采用完全铸模的 ITO-220AB 封装。

新型Vishay Trench MOS 肖特基势垒(TMBS)整流器一览表
 
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