Maxim推出3A、半桥MOSFET驱动器MAX15018/19

关键词：半桥MOSFET驱动器 MAX15018/19 n沟道MOSFET

时间：2008-07-21 14:40:00 来源：中电网

“MAX15018/19具有高端(HS)引脚，允许高达125V的输入电压，该指标优于竞争产品的105V电压。

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Maxim推出高压、高速MOSFET驱动器MAX15018/MAX15019，用于驱动高边和低边n沟道MOSFET。器件具有高端(HS)引脚，允许高达125V的输入电压，该指标优于竞争产品的105V电压。MAX15018/MAX15019与工业标准的HIP2100IB和HIP2101IB引脚兼容，理想用于必须承受100V或更高瞬态电压的电信电源产品中，保证足够的安全裕量。

MAX15018/MAX15019提供3A源出/吸入峰值电流，传输延迟仅为35ns (典型值)，驱动器之间能够保证2ns (最大值)的传输延迟匹配，可理想用于高频电源。针对TTL或CMOS兼容的同相/同相或同相/反相逻辑输入，提供多种版本的器件以供选择。无论V+电源电压为多少，逻辑输入均可承受高达+15V的电压。MAX15018/MAX15019提供标准和增散强热的8引脚SO封装，工作在-40°C至+125°C汽车级温度范围。芯片起价为$1.62 (1000片起，美国离岸价)。

详情见：http://www.maxim-ic.com.cn。

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