“新的 9Mb 和 4Mb 双端口器件可实现高达 200MHz 的性能,以满足苛刻的存储器缓冲要求。这两款器件采用 1.8V 内核电压,比现有解决方案的功耗更低。
”IDT宣布,其不断扩大的多口RAM系列又添两个新型双口RAM器件。从工业控制到医疗成像和通信,新的 9Mb 和 4Mb 双端口器件可实现高达 200MHz 的性能,以满足苛刻的存储器缓冲要求。这两款器件采用 1.8V 内核电压,比现有解决方案的功耗更低。 双端口器件集成了存储器和控制逻辑,可以通过独立端口实现对通用中央存储器的同时存取。该IDT 解决方案有助于客户通过解决芯片间连接问题,增加带宽并降低设计复杂性,同时通过使用经过验证的成熟器件,实现快速上市。 性能和优势 70P3519 和 70P3599 能够支持一个或两个端口上3.3V、2.5V 或 1.8V 的 I/O 电压。这两款器件的内核电源(VDD)为 1.8V。 封装和供货 |
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