擎泰科技推出SK6361 SATAII SSD控制芯片

擎泰科技甫推出的SK6361 SATAII SSD控制芯片，不仅率先采用32位微处理器核心、支持DRAM Cache功能，并沿用擎泰在闪存管理上的多项优势技术，包括均匀抹写(Even Wear-Leveling)、坏损区块管理(Bad Block Management)等，同时内建USB 2.0接口、AES 256bit认证机制，以增加客户设计之弹性、协助实现效能与稳定性兼备的SSD。

目前市售主要高阶SSD在经过一段时间操作后，普遍都有读写效能衰退的现象。而擎泰科技基于在闪存的丰富管理经验，采用SK6361的SSD并不会有这类令使用者经验不快的现象发生，确保效能的一致性。同时，SK6361也兼具了稳定性，即使以挥发性的DRAM作为快取缓冲存储器，使用者亦不需担心突然断电后、操作系统无法回复的问题。此外，擎泰科技也在SK6361上开发出专属MLC闪存颗粒的随机读写效能提升技术，针对操作系统碟的行为模式进行最佳化，使用者将有倍数于传统机械式硬盘的速度体验，实测4KB随机读取速度可达6,000 IOPS以上、写入速度则可达1,500 IOPS上。

根据Gartner、IDC、及iSupply等各市调机构的预估，未来三年SSD的整体出货量年复合成长率高达100%以上，2011年将销售逾6千万颗，并首度占有10%以上的计算机储存出货量，与传统硬盘分庭抗礼。众所周知，SSD相较于传统硬盘的优点在于低噪音、低耗能、抗震性、与高效能。而能推升SSD出货量的关键点，除了单位储存成本之外，更重要的是透过SSD控制IC的帮助免除消费者对使用期限与资料安全的疑虑、同时在效能上持续大幅领先硬盘。

SK6361有四与八两种信道数选择，两者都有动态随机内存(DRAM)快取架构，可提升随机读写效能、并增强闪存使用寿命。八信道之SK6361A系针对高阶与主流SSD市场，支持外部DRAM接口，其连续读写速度分别高达180MB/s与150MB/s，最大容量可达512GB以上。四信道之SK6361B则瞄准Netbook之内建储存及利基市场、如SATA/USB双接口传输碟等，以SIP方式整合快取DRAM封装于TQFP-128，不仅节省系统空间、也让客户在成本与效能间取得最佳解决方案。