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NEC推出增加击穿电压的PowerMOSFET NP-系列NPxxN10SDE

关键词：汽车电子 NEC 击穿电压 PowerMOSFET NP-系列 NP28N10SDE NP36N10SDE

时间：2009-07-01 10:23:00 来源：NP28N10SDE,NP36N10SDE

“两器件的击穿电压为100V，补充了低电压PowerMOSFET产品，用于汽车应用中。

”

NEC电子公司推出了PowerMOSFET NP系列新品NP28N10SDE和NP36N10SDE。两器件的击穿电压为100V，补充了低电压PowerMOSFET产品，用于汽车应用中。

NP28N10SDE和NP36N10SDE的额定电压为100 V，开关电流分别高达28 A和36 A。两器件采用NEC电子公司的UMOS-2技术，具有RDS(开)值：41 mΩ (NP28N10SDE) 和27 mΩ (NP36N10SDE)，以及低栅极电荷和输入电容值。两个器件均具有逻辑电平栅极驱动，采用受欢迎的TO-252 (DPAK) SMD封装。

该器件与所有NP系列产品一样，获得AEC-Q101认证，沟道温度高达175 °C，由于镀锡引线而完全符合RoHS标准。这些新器件由于有更高击穿电压而满足了汽车电子对PowerMOSFET器件的不断增长需求，如：DC/DC转换器和喷射控制，用于汽油和柴油喷射系统或照明应用如：LED或HID灯。

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