“飞兆半导体为第四代650V和1200V IGBT器件削减能量损失。采用专为在工业和汽车市场的高，中／高速开关应用的一种新的设计方法，飞兆半导体能够提供的性能业界领先水平具有非常强的闭锁免疫力优越的耐用性和可靠性
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纽伦堡，德国 - （BUSINESS WIRE） - 飞兆半导体（纳斯达克股票代码：FCS），高性能半导体解决方案的全球领先供应商，30％为第四代650V和1200V IGBT器件削减能量损失。采用专为在工业和汽车市场的高，中/高速开关应用的一种新的设计方法，飞兆半导体能够提供的性能业界领先水平具有非常强的闭锁免疫力优越的耐用性和可靠性。飞兆半导体将展示和呈现与多个应用程序的测试结果的做法在欧洲PCIM 2015年。
“制造商在更先进的IGBT作为一种IGBT的开关损耗将使他们能够提高产品的效率，减少任何非常感兴趣，”IHS的高级分析师维多利亚Fodale说。 “最大限度地减少功率损耗是自然键实现的范围从电动汽车和太阳能发电系统，以高效率的HVAC应用和工业逆变器应用效率的最高水平。”
飞兆半导体正在使用一种新的自对准接触技术，从-40℃极高的电流密度和非常有利的动态切换功能，在整个温度范围内175ºC.新的设计采用了先进的高密度间距，自动平衡细胞生成使第四代IGBT的具有优良的低饱和电压（VCE（SAT）= 1.65V〜）和低开关损耗（=的Eoff5μJ/ A）折衷的特点为客户实现更高的系统效率。随着新的一代，飞兆半导体还将提供强大的设计和仿真基础软件包校准所有低收入和高电压功率器件。
“飞兆半导体的全新方法涉及非常高的电子注入效率非常精细的单元间距设计和空穴载流子注入受限于一个新的缓冲结构增强，”仙童研究员托马斯Neyer说。 “这些进步产生显著的性能优势，将使飞兆半导体为制造商提供新的解决方案，有效地控制大量的电力与我们的IGBT。”
飞兆半导体设计负责人凯文·李将呈现“第四代场截止（FS）IGBT具有高性能和增强的闩锁免疫力”下午1点在周四，5月21日在纽伦堡展览中心的产业高峰论坛6号馆，展位345。
会议与会者还可以看到在展台仙童，9-342示范新IGBT技术。
产品系列细节飞兆半导体FS4 IGBT在2015年更多细节，包括一个白皮书，详细说明了飞兆半导体FS4 IGBT技术Q4将提供，可以在仙童IGBT产品信息页面上找到。
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