关键词:ROHM RASMID产品阵容 TVS二极管 VS3V3BxxFS系列
时间:2015-12-23 09:29:36 来源:中电网
“全球知名半导体制造商ROHM面向市场日益扩大的智能手机和可穿戴式 设备等,开发出01005尺寸(0402mm)业界最小级别的TVS二极管“VS3V3BxxFS系列”。
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全球知名半导体制造商ROHM面向市场日益扩大的智能手机和可穿戴式 设备等,开发出01005尺寸(0402mm)业界最小级别的TVS二极管“VS3V3BxxFS系列”。
此次开发的新产品是ROHM世界最小元器件“RASMID(ROHM Advanced Smart Micro Device)系列”中的一个系列。与以往的0201尺寸(0603mm) 相比,面积缩减了56%,体积缩减了81%,实现了业界最小级尺寸,有助于 智能手机等的更高密度安装。
本产品已于2015年10月开始出售样品(样品价格20日元/个:不含税),预计将于2016年1月开始暂以月产500万个的规模投入量产。前后道工序的 生产基地均为ROHM Apollo Co., Ltd.(福冈县)。
<背景>
近年来,在智能手机和可穿戴式终端等移动设备领域,对设备的小型化和电池使用寿命的要求越来越高。另外,如今各种电子设备中,为保护电子电路不受静电(ESD:Electro Static Discharge)等影响,会使用齐纳二极管或低容量保护二极管。随着设备功能的增加,要求这类保护用的二极管小型且具有优异的ESD保护能力,因此,TVS二极管因特性项目较其他二极管丰富而使其需求量日益增加。
在这种背景下,ROHM将这些采用与传统截然不同的崭新工艺方法实现了小型化、以惊人的尺寸精度(±10μm)为豪的世界最小元器件定位为RASMID系列,并不断扩充产品阵容。此次开发的新产品不仅实现了小型化,还可确保更卓越的ESD保护功能,是满足低压电路需求的TVS二极管。ROHM将利用本系列产品正式进军TVS二极管市场。
<RASMID系列开发概况>
产品名 |
型号 |
尺寸 |
样品开售时间 |
量产开始时间 |
贴片电阻器 |
SMR003 |
03015(0.3×0.15mm) |
2012年1月 |
2013年10月 (2014年4月正式量产) |
贴片电阻器 |
SMR002 |
0201(0.25×0.125mm) |
2015年12月 |
2016年6月 |
齐纳二极管 |
FDZ |
0402(0.4×0.2mm) |
2012年10月 |
2014年1月 |
肖特基势垒二极管 |
RB521FS-30 |
0402(0.4×0.2mm) |
2013年10月 |
2014年1月 |
TVS二极管 |
VS3V3BxxFS |
0402(0.4×0.2mm) |
2015年10月 |
2016年1月(预计) |
<特点>
1. RASMID系列的三大特点
① 采用新工艺方法,实现超小型产品
ROHM利用RASMID系列的特点---即独有的新工艺方法,开发出01005尺寸(0402mm)世界最小级别的TVS二极管。与以往的0201尺寸(0603mm)产品相比,成功使面积减少56%,体积减少81%。这将为智能手机以及可穿戴式设备等要求小型薄型化的所有设备的高性能化、小型化作出巨大贡献。
② 实现惊人的尺寸精度±10μm
尺寸精度非常高,达到±10μm,因此,产品的波动极小,可进行 更高密度的安装。
③ 高可靠性结构
采用金电极,可焊性更高。另外,RASMID系列的芯片侧面采用了ROHM独有的切割加工技术。与以往产品相比,平面度显著提高, 抗外部冲击性能更强,抗开裂剥离强度更高。而且,平面度更高的 侧面还覆有绝缘膜,可防止偶发的焊球导致的短路。
2. 满足低压电路需求,实现反向工作电压(VRWM)3.3V
为延长电池的使用寿命,近年来,对低压电路的需求日益高涨。要实现小型化且要降低直接连接低压电路的反向工作电压,抑制泄漏电流一直是需要攻克的难题。此次开发的RASMID系列的TVS二极管,融合了齐纳击穿和双极技术,同时实现了低泄漏电流和低电压。反向工作电压(VRWM)达3.3V,非常有助于设备进一步节省电力。
3. 继承以往5.0V产品的优异ESD保护能力
通过优化结构,确保了与以往的0201尺寸(0603mm)5.0V产品同等的优异ESD保护能力。不仅实现了产品的小型化,还可防止静电导致的电路损坏和误动作,降低应用的负担。
<应用电路例>
<术语解说>
・TVS(Transient Voltage Suppressor:瞬态电压抑制)二极管
保护电子电路不受瞬间产生的电压和电流影响的二极管。与其他保护二极管相比,尤其是ESD保护等保护项目较多。
・反向工作电压(VRWM)
反向施加的最大电压。
・泄漏电流
在电子电路上本不该有电流的地方泄漏出来的电流。
・ESD(Electro Static Discharge)
静电放电。为防止静电导致的电子电路损坏和误动作,电子电路需要采取防静电措施。
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