“东芝电子元件及存储装置株式会社(简称“东芝”)推出两款双向瞬态电压抑制二极管(静电放电保护二极管)“DF2B5PCT”和“DF2B7PCT”,用于提高IC电源线路适用标准电容类型的额定峰值脉冲电流。
”东芝电子元件及存储装置株式会社(简称“东芝”)推出两款双向瞬态电压抑制二极管(静电放电保护二极管)“DF2B5PCT”和“DF2B7PCT”,用于提高IC电源线路适用标准电容类型的额定峰值脉冲电流。
这两款新产品的额定峰值脉冲电流[1]为27A,典型动态阻抗[2]为0.1Ω。与拥有高额定峰值脉冲电流[1]的双向瞬态电压抑制二极管DF2B7BSL相比,新产品的静电放电吸收性能使得峰值脉冲电流[1]提高了约三倍,典型动态阻抗[2]降低了约50%,同时实现低钳位电压[1]。因而增强了稳定性。
新产品包含适用于标准5V电源线路的DF2B7PCT,以及适用于3.3V电源线路的DF2B5PCT。根据电压选择适用的瞬态电压抑制二极管,从而通过抑制过高的电源瞬态电压,在后续阶段为IC和其他器件提供保护,避免造成损坏。
采用小号SOD-882封装(东芝封装名称:CST2)。由于减少了电路板的表贴面积,因此可适用于包括移动设备在内的各个应用领域。
IC的微型化工艺使静电放电容量不断降低,因此智能手机和平板电脑等移动设备的稳定性要求也在不断提高。此外,为了防止静电放电、雷电感应和电源不良造成的瞬态过压损坏器件,必须为器件提供瞬态过压保护,因此,防护器件本身也需要较高的峰值脉冲电流。为了满足这些要求,我们开发了一组以高额定峰值脉冲电流和低动态阻抗为特点的新产品。
备注:
[1] @IEC61000-4-5(tp=8/20μs)
TLP参数:Z0=50Ω,tp=100ns,tr=300ps,平均窗口:t1=30ns至t2=60ns,通过TLP特性的最小二乘法提取IPP1=8A到IPP2=30A之间的动态阻抗
特点
● 高额定峰值脉冲电流[1]:IPP=27A
● 低动态阻抗[2]:RDYN=0.1Ω(典型值)
● 低钳位电压[1]:
VC=14V(典型值)@IPP=27A(DF2B5PCT)
VC=16V(典型值)@IPP=27A(DF2B7PCT)
● 高额定静电放电电压[3]:VESD=±30kV
● 反向工作峰值电压:
VRWM=3.6V(最大值)(DF2B5PCT)
VRWM=5.5V(最大值)(DF2B7PCT)
备注:
[3] @IEC61000-4-2(接触类)
应用
● 智能手机
● 平板电脑
● 游戏机等
产品规格
内部电路
应用电路实例
本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。
特性比较(参考)
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