东芝推出四款650V肖特基势垒二极管

东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）为扩大其产品线，现推出了四款650V肖特基势垒二极管（SBD）：“TRS12N65FB”、“TRS16N65FB”、“TRS20N65FB”和“TRS24N65FB”。这四款SBD产品均为碳化硅材质，这种新兴材料能提高电源功率因数校正（PFC）效率。这些产品均采用TO-247封装并具有12A、16A、20A、24A等四种正向直流额定值（双支路），可提高设备功率。

这几款新产品均为采用优化JBS（结势垒控制肖特基）架构的东芝第二代工艺碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD），具有大浪涌电流和低损耗等性能特性，其非重复性峰值正向浪涌额定电流（单支路）和典型正向电压（单支路）分别为92A[1]及1.45V，相较于我们的第一代工艺产品，该额定电流约提高了53%[2]，该电压约降低了6%[2]。这些特性使我们在进行设备的散热设计时提高了效率和裕度。

东芝未来还会扩展该系列产品线，帮助通信设备、服务器、逆变器和其他产品提升效率并实现小型化。

注：

[1] 以TRS24N65FB为例

[2] TRS24N65FB与TRS24N65D相比较

特性

●   较高的非重复性峰值正向浪涌额定电流：

  I_FSM（单支路）／（双支路）＝52A／104A（TRS12N65FB）

  I_FSM（单支路）／（双支路）＝65A／130A（TRS16N65FB）

  I_FSM（单支路）／（双支路）＝79A／158A（TRS20N65FB）

  I_FSM（单支路）／（双支路）＝92A／184A（TRS24N65FB）

●   较低的正向电压：

  V_F（单支路）=1.45V（典型值），在I_F＝6A条件下（TRS12N65FB）

  V_F（单支路）=1.45V（典型值），在I_F＝8A条件下（TRS16N65FB）

  V_F（单支路）＝1.45V（典型值），在I_F＝10A条件下（TRS20N65FB）

  V_F（单支路）＝1.45V（典型值），在I_F＝12A条件下（TRS24N65FB）

应用

●   工业设备的电源

（基站、PC服务器，电车供电设施和激光加工机床等）

●   消费设备的电源

（有机EL电视、音频放大器、投影仪和多功能打印机等）

产品规格

内部电路

应用电路示例

本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。