Nexperia宣布面向高速数据线的TrEOS系列ESD保护器件再添两款新产品

PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压，为敏感系统的保护提供了一种高效的解决方案

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布Nexperia TrEOS产品组合再添新产品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM极低钳位电压ESD保护二极管。这些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压以及宽通带，浪涌抗扰度出众，出众的IEC61000-4-5浪涌等级。

Nexperia高级产品经理Stefan Seider表示：“Nexperia开发了TrEOS产品组合，专门用于为我们的客户提供一系列适用于USB3.2、USB4™、Thunderbolt™、HDMI 2.1和通用闪存等应用的高性能ESD保护解决方案。PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM的快速开关速度可为高速数据线提供极为有效的ESD峰值抑制性能，而其低触发电压有助于显著降低IEC61000-4-5 8/20 µs浪涌脉冲所含的能量。”

单数据线PESD4V0Y1BBSF采用低电感DSN0603-2封装，触发电压为6.3 V TLP，典型器件鲁棒性和电容分别为25 A 8/20 µs和0.7 pF。PESD4V0Y1BBSF提供的钳位电压在16 A 100 ns TLP时仅为2.4 V，在20 A 8/20 µs浪涌时仅为3.4 V。双数据线PESD4V0X2UM采用紧凑型DFN1006-3封装，触发电压为8 V，典型器件鲁棒性超过14 A 8/20 µs，典型器件电容为0.82 pF。

虽然这两种器件都可为USB2.0 D+/D-线路提供出色的保护作用，但PESD4V0Y1BBSF的S21通带超过7.5 GHz，因此适用于5 Gbps时的USB3.x。这两种器件都可提供高水平的抗浪涌性能，出众的IEC61000-4-5浪涌等级。

关于新款器件的更多信息，包括产品规范和数据手册，请访问：nexperia.com/pip/PESD4V0Y1BBSF以及nexperia.com/pip/PESD4V0X2UM。关于Nexperia完整的Nexperia TrEOS产品组合，请访问nexperia.com/xx。

关于Nexperia

Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付1000多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面获得行业广泛认可，拥有先进的小尺寸封装技术，可有效节省功耗及空间。

凭借几十年来的专业经验，Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过14,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，拥有庞大的知识产权组合，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001认证。