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Nexperia在APEC 2024上发布拓宽分立式FET解决方案系列

关键词:Nexperia APEC 2024 NextPowerS3 MOSFET

时间:2024-02-29 11:10:53      来源:Nexperia

Nexperia再次在APEC上展示产品创新,今天宣布发布几款新型MOSFET,以进一步拓宽其分立开关解决方案的范围,可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于PoE、eFuse和继电器替代产品的100 V 应用专用MOSFET (ASFET),采用DFN2020封装,体积缩小60%,以及改进了电磁兼容性(EMC)的40 V NextPowerS3 MOSFET

专业研发提供节省空间的PoE ASFET和EMC优化型NextPowerS3 MOSFET。

2024年2月29日:Nexperia再次在APEC上展示产品创新,今天宣布发布几款新型MOSFET,以进一步拓宽其分立开关解决方案的范围,可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于PoE、eFuse和继电器替代产品的100 V 应用专用MOSFET (ASFET),采用DFN2020封装,体积缩小60%,以及改进了电磁兼容性(EMC)的40 V NextPowerS3 MOSFET

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PoE交换机通常有多达48个端口,每个端口需要2个MOSFET提供保护。单个PCB上有多达96个MOSFET,小型化器件封装尺寸的解决方案极具吸引力。为此,Nexperia发布了采用2 mm x 2 mm DFN2020封装的100 V PoE ASFET,与以前采用LFPAK33封装的版本相比,占用的空间减少了60%。这些器件的一个关键功能是通过限制浪涌电流来保护PoE端口,同时安全地管理故障情况。为了应对这种情况,Nexperia将这些器件的安全工作区(SOA)增强了3倍,而RDS(on)只有非常微小的增幅。 这些ASFET还适用于电池管理、Wi-Fi热点、5G微微蜂窝和闭路电视应用,并且可以替代智能恒温器中的机械式继电器等。

由MOSFET开关引起的EMC相关问题通常只出现在产品开发周期的后期,解决这些问题可能会产生额外的研发成本并延迟市场发布。典型的解决方案包括使用更昂贵且RDS(on)较低的MOSFET(以减慢开关速度并吸收过多的电压振铃)或安装外部电容缓冲器电路,但这种方法的缺点是会增加元件数量。Nexperia优化了其40 V NextPowerS3 MOSFET,以提供与使用外部缓冲器电路可实现的相似的EMC性能,同时还提供更高的效率。这些MOSFET采用LFPAK56封装,适用于各种应用的开关转换器和电机控制器。

Nexperia MOSFET营销和产品部总监Chris Boyce说道:“通过在APEC 2024上推出我们的分立式FET解决方案的最新产品系列,Nexperia展示了我们如何利用我们专业的研发知识来提供优化的解决方案。新型100 V PoE ASFET以及40 V NextPowerS3 MOSFET改进的EMC性能都表明了我们坚定支持工程师克服各种应用挑战的决心。这些创新凸显了Nexperia致力于提供高效、紧凑和可靠的解决方案,帮助我们的客户在当今不断发展的市场中取得成功。”

欲了解有关Nexperia PoE ASFET的更多信息,请访问: https://nexperia.cn/asfets-for-poe
欲了解有关Nexperia NextPowerS3 MOSFET的更多信息,请访问:https://nexperia.cn/nextpowers3

关于Nexperia

Nexperia总部位于荷兰,是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司,目前在欧洲、亚洲和美国共有15,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者,Nexperia的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域,几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。
Nexperia为全球客户提供服务,每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面成为行业基准,获得广泛认可。Nexperia拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证,充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。

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