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纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs, 促进AI数据中心功率提升,加快电动汽车充电速度

关键词:纳微 碳化硅MOSFETs 数据中心 AI

时间:2024-06-13 10:04:18      来源:纳微

GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器(OBCs)、电动汽车超级充电桩以及太阳能/储能系统(ESS)。产品涵盖了从D2PAK-7到TO-247-4的行业标准封装,专为要求苛刻的高功率、高可靠性应用而设计。

具备行业领先的温控性能,全新650V和1200V碳化硅MOSFETs可低温运行和快速开关,为AI数据中心提升三倍功率并加速电动汽车充电。

GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器(OBCs)、电动汽车超级充电桩以及太阳能/储能系统(ESS)。产品涵盖了从D2PAK-7到TO-247-4的行业标准封装,专为要求苛刻的高功率、高可靠性应用而设计。

MOSFETs.png
G3F产品系列针对高速开关性能进行了优化,与CCM TPPFC系统中的竞争对手相比,硬开关品质因数(FOMs)提高了40%。这将使下一代AI数据中心服务器电源(PSUs)的功率增加到10kW,每个机架的功率从30kW增加到100-120kW。

G3F GeneSiC MOSFETs 基于纳微专有的“沟槽辅助平面栅”技术研发,既拥有优于沟槽栅MOSFET的性能,还具备比竞争对手更强的鲁棒性、可制造性和成本效益。G3F MOSFETs 同时具备高效和高速的性能,可使器件的外壳温度降低高达25°C,比市场上其他厂商的碳化硅产品的寿命长3倍。

“沟槽辅助平面栅”技术vs平面栅与沟槽栅.png
“沟槽辅助平面栅”技术vs平面栅与沟槽栅

“沟槽辅助平面栅”技术能使碳化硅MOSFETs的RDS(ON)受温度影响小,在整个运行范围内的功率损失降到最低。在高温的运行环境下中,搭载这一技术的碳化硅MOSFETs,与竞争对手相比,RDS(ON)降低高达20%。

此外,所有的GeneSiC MOSFETs在已公布的100%耐雪崩测试中其耐受能力最高,且短路耐受时间延长30%,以及拥有稳定的门极阈值电压便于并联控制,因此非常适合高功率并需要快速上市的应用场景。

纳微半导体最新发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计,基于CRPS185外形尺寸,其采用了额定650V、40mΩ的GeneSiC G3F FETs,用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC级的GaNSafe™氮化镓功率芯片一起,让这款电源实现了138 W/inch³的功率密度和超过97%的峰值效率,轻松达到欧盟目前强制执行的“钛金+”效率标准。

G3F FETs.png
针对电动汽车市场,纳微半导体基于1200V/34mΩ(型号:G3F34MT12K)的G3F FETs,打造了一款22kW、800V双向车载充电机(OBC)+ 3kW DC-DC转换器的应用,能够实现3.5kW/L的超高功率密度和95.5%的峰值效率。

纳微半导体碳化硅技术和运营高级副总裁Sid Sundaresan博士:

“凭借着可靠性和高功率高压系统下的鲁棒性,G3F GeneSiC MOSFETs为碳化硅性能标定了高效、可低温运行的新基准。G3F碳化硅MOSFETs的开关频率高达600 kHz,硬开关品质因数比竞争对手高出40%。纳微正在不断拓展碳化硅的性能边界。”

关于纳微半导体

纳微半导体(纳斯达克股票代码: NVTS)是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司,于2024年迎来了成立十周年。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起,为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过250项已经获颁或正在申请中的专利。截止至2023年8月,氮化镓功率芯片已发货超过1.25亿颗,碳化硅功率器件发货超1200万颗。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺,也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。

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