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TPC8A01:芯片功率MOSFET和肖特基二极管

关键词：MOSFE

时间：2003-07-29 14:21:00 来源：中电网

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7月2日讯，东芝美国电子元件公司(Toshiba America Electronic Component)推出一种把功率MOSFET和肖特基阻塞二极管集成在单一裸芯片上，创新了一种称作MOSBD新器件。

东芝的第一个MOSBD，型号为TPC8A01，是双通路器件，组合了两个MPOSFET和一个肖特基阻塞二极管。因此，把在DC/DC转换器中同步整流所用的三种器件集成在一个封装内，容易在PCB上安装，节省了更大的板的空间。器件很适合用在笔记本电脑，PDA，LCD和硬盘驱动器(HDD)的马达驱动器中的DC/DC转换器。

新的MOSBD，由于消除了MOSFET和二极管间的外部连线，大大地降低了连线的电阻和电感。新器件也由于采用东芝的UMOS III工艺，能进一步改善性能。TPC8A01 MOSBD的占位面积为30 mm2,厚度为1.6 mm,封装为工业标准的SOP-8。下表为它的技术性能。

型号		额定值		RDS (on) (mΩ) @VGS= 4.5V		Qg (nC)@VDD= 24V, VGS = 10V	VDSF (V)@ VGS =0V	封装
型号		VDSS (V)	ID (A)	Typ.	Max.	Typ.	Max.	SOP-8
TPC8A01	高边 (MOSFET)	30	6	23	30	17	-1.2
TPC8A01	低边 (MOSBD)	30	8.5	16	21	49	-0.6

现在可提供TPC8A01 MOSBD，样品数量的价格为$0.40。详情请上网：http://www.toshiba.com/taec

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