Nexperia推出行业领先性能的高效率氮化镓功率器件(GaN FET)

11月19日，分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia 推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用，栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V，工作温度范围为 -55 至 +175℃。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻（最大RDS(on) 仅为 60 mΩ）以及快速的开关切换；效率非常高。

Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场，包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。Nexperia硅基氮化镓采用非常可靠耐用的工艺，是质量和可靠性久经考验的成熟技术。再加上其可以使用现有的硅晶圆加工设备，因此晶圆加工产能的可扩展性很强。另外，此器件采用行业标准TO-247 封装，客户可受益于以熟悉的封装来获得卓越的氮化镓性能。

安世MOS业务部总经理
Toni Versluijs先生表示：

“这是 Nexperia 进入高压领域的战略，现在我们可以交付适合电动汽车应用的功率半导体技术了。我们的氮化镓技术已经可以量产，并能够灵活的扩产。汽车行业是 Nexperia 关注的一个重点，随着电动汽车逐渐取代传统的内燃机汽车，成为个人和公众出行的首选，预计未来二十年，电动汽车销量将迎来大幅增长。”

GAN063-650WSA是Nexperia进入电动汽车、通信设备和工业类市场的一系列氮化镓产品中的第一款。有关该产品的更多信息，包括产品规格和数据表，请点击「阅读原文」。