汽车电子的更低RDS(on) MOSFET

关键词：汽车电子

时间：2002-07-30 11:50:00 来源：中电网

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飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor )的FDB045AN08A0, FDP047AN08A0和FDD16AN08A0 N- MOSFET，据称在42V汽车电子市场中，室温的导通电阻RDS(on)是最低的，4.5m欧姆。当用多个器件并联来控制大功率负载时，符合AECQ101标准的75V器件要有低栅电荷，以限制驱动电流的要求。

其指标如下：导通电阻RDS(on) 4.5到16m欧姆，总电荷：47到138nC，抗50A单脉冲和重复脉冲不钳位感性电涌能力为600mJ。器件封装为TO-264，TO-220和TO-252。1K定货量时单价为1.65美元。下图为产品外形图。详情请上网：http://www.fairchildsemi.com

2002.07.30

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