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”| 12月２日讯，IR公司推出新型专用在汽车电子的HEXFET功率MOSFET IRF2804,单位面积的导通电阻比最好的同类产品还低15%。这种新的MOSFET技术所提供的雪崩容量，可和平面技术相比拟，为目前产品的两倍。 采用这种新技术制造的40V IRF2804 MOSFET晶体管，取得Q101质量认证，很适合用在大功率汽车电子方面，如14V综合交流发电机起动器，14V交流发电机同步整流器，操纵系统的电源，无刷和有刷DC电机。IR trench MOSFET技术也生产出能用在汽车电子的其它电压器件如4-V,55V,75V和100V产品。 新型IRF2804是TO-220封装，导通电阻2.3耗欧姆是业界最低的。此外，它有低的单位面积栅电荷，以满足工作在高达100KHz的频率。 IR 的汽车电子MOSFET的高雪崩容量能用在低电压范围。例如，40V MOSFET能代替55V MOSFET，以得到更低的导通电阻。这种MOSFET能提供先前不可能达到的硅性能，而不会采用更贵的封装，更大的芯片或多芯片并联。这种新器件比同类产品的导通电阻低10%，这点在汽车电子应用中是特别重要的，因为那里的环境温度通常超过125度,而峰值结温可能达到175度。 | ||||||||||||||||||||
下表为该系列产品的主要性能。 | ||||||||||||||||||||
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| 现在可提供IRF2804的样品。10K量的单价为$3.67。下图为产品的外形图。详情请上网：www.irf.com | ||||||||||||||||||||
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2002.12.13 |
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