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”| 3月12日讯,Fairchild半导体公司推出一种双路N-MOSFET器件FDC6000NZ,它把Fairchild的Power Trench MOSFET硅技术和SuperSOT-6 FLMP封装组合起来,其结果是,先进的MOSFET功率开关的小尺寸(高度小于0.8mm)小占位面积(最大为9.0平方毫米)的封装能给锂离子电池盒保护提供严格的电性能和热性能.FDC6000NZ的耗散功率为1.6W,最大的稳态电流为7.3A,相当于或优于目前市场上TSSOP-8器件的电流能力,而比TSSOP-8封装的器件,占位面积降低55%,高度降低27%. FDC6000NZ限制了开关的损耗,为新的充电器/电池盒系统提供了低电压降的解决方案,提供了安全大电流的能力,这对下一代以电池为能源的手提产品的至关重要的.这种高性能的解决方案很适合用在各种移动通信设备,包括移动手机,PDA,手提音乐播放器,数码相机,掌上电脑和GPS接收器. FDC6000NZ是无铅产品,满足IPC/JEDEC标准J-STD-020B,并和欧洲联盟规范兼容.1K量的单价为$0.66.下图为产品外形图.详情请上网:www.fairchildsemi.com |
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