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HYS72T512022HF-3.7-A:4GB DDR2 FB-DIMM

关键词:存储器 DIMM SDRAM

时间:2005-08-29 16:16:00      来源:中电网

Infineon公司推出业界首个DDR2 全缓冲双列直插存储器模块(FB-DIMM),容量从512MB到4GB.新的FB-DIMM是基于先进存储器缓冲器(AMB)芯片,DDR2 DRAM芯片和有所有权的热沉都是Infineon的产品.此外,Infineon还给其它的FB-DIMM制造商提供AMB逻辑芯片.

HYS72T512022HF-3.7-A:4GB DDR2 FB-DIMM

8月23日讯,Infineon公司推出业界首个DDR2 全缓冲双列直插存储器模块(FB-DIMM),容量从512MB到4GB.新的FB-DIMM是基于先进存储器缓冲器(AMB)芯片,DDR2 DRAM芯片和有所有权的热沉都是Infineon的产品.此外,Infineon还给其它的FB-DIMM制造商提供AMB逻辑芯片.

FB-DIMM改变当今注册DIMM的并行架构成串行点到点连接.这就消除了下一代服务器存储器增加容量和速度的瓶颈.Infineon设计和生产的AMB,是一种高度复杂的逻辑芯片,控制着这种点到点的连接,当和DDR2 DRAM直接高速链接时,数据速率达到4.8GBps.除了采用它作为Infineon自己的模块以外,Infineon还向其它FB-DIMM制造商提供AMB芯片,从而提升了下一代服务器存储器的市场渗透能力.

今天所推出的FB-DIMM采用速度等级533和667Mbps的DDR2 DRAM,以后将会采用800Mbps的DDR2 DRAM芯片.

根据iSuppli的市场研究,2006年OEM服务器市场,FB-DIMM将会有420万块,占16%份量,到2008年将会增加到79%.

基于512Mb和1Gb DDR2 533和DDR2 667元件的FB-DIMM的容量有512MB, 1GB,2GB和4GB,现在可提供样品.批量生产将在2005年第四季度.它的封装是240引脚FBGA,SDFBGA封装.

数据速率高达4.8Gbps的Infineon AMB是665针高性能倒装芯片的BGA封装.现在可提供样品数量.

下图为产品外形图.详情请上网:www.infineon.com
HYS72T512022HF-3.7-A:4GB DDR2 FB-DIMM
 
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