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NEC电子欧洲公司推出汽车应用的小型HSON-8封装PowerMOSFET

关键词:NEC电子 欧洲公司 汽车电子 小型HSON-8封装 PowerMOSFET

时间:2009-02-23 14:16:00      来源:PowerMOSFET

HSON-8封装尺寸为6.0毫米 x 5.2毫米 x 1.45毫米,与SOP-8封装的占位面积相同。

近日,NEC电子欧洲公司宣布为汽车应用中的低电压PowerMOSFET推出新封装形式HSON-8。

HSON-8封装尺寸为6.0毫米 x 5.2毫米 x 1.45毫米,与SOP-8封装的占位面积相同。HSON-8封装与DPAK (TO-252)封装相比,节省一半安装空间,同时兼具DPAK封装优异的热性能和电子性能。HSON-8封装的最大载流能力为75A。配合NEC电子的UMOS-4沟道技术,N沟道器件的RDS(on)为5.1 mΩ,VDSS = 40 V (NP75N04UG),P沟道器件(NP75P03*DG)的RDS(on)为6.2 mΩ,VDSS = -30 V。击穿电压为-30 V、40 V和60 V的N沟道和P沟道PowerMOSFET目前正在研发阶段。

和NP系列的其他产品一样,新器件符合AEC-Q101标准,支持沟道温度最高达175 °C,镀锡引脚使其完全符合RoHS标准。

新HSON-8封装满足汽车工程领域里对小尺寸、适合有限空间应用的高性能PowerMOSFET的需求,如ABS和燃油喷射系统。

供货
采用新HSON-8封装的PowerMOSFET样品现可供货,计划2009年上半年开始量产。若要获得小封装新品的和其他NEC电子功率管理器件的更多资讯,请访问



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