中国电子技术网

设为首页 网站地图 加入收藏

 
 
  • 首页 > 新品 > 超高压突破!鲁晶半导体推出5000V 碳化硅肖特基二极管引领电力电子新时代

超高压突破!鲁晶半导体推出5000V 碳化硅肖特基二极管引领电力电子新时代

关键词:鲁晶半导体 碳化硅 肖特基二极管

时间:2025-06-03 15:26:34      来源:中电网

碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,具有独特的物理和电性特性,其能带间隔是硅的 2.8 倍,绝缘击穿场强为硅的 5.3 倍,导热率为硅的 3.3 倍,这些特性使得碳化硅肖特基二极管能够在高电压、高频率和高温条件下稳定运行,在功率器件领域展现出巨大潜力。

碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,具有独特的物理和电性特性,其能带间隔是硅的 2.8 倍,绝缘击穿场强为硅的 5.3 倍,导热率为硅的 3.3 倍,这些特性使得碳化硅肖特基二极管能够在高电压、高频率和高温条件下稳定运行,在功率器件领域展现出巨大潜力。

鲁晶半导体推出5000V SiC SBD,主要应用在电力传输、工业电源、特种高压电源、变频器、光伏逆变、轨道交通、航空航天等领域。

应用优势

1.超高耐压,突破行业瓶颈

传统硅基二极管在高压领域通常采用PiN结构,但存在反向恢复损耗大、开关速度慢等问题。而5000V SiC肖特基二极管采用先进的JBS(结势垒肖特基)结构,实现了超高耐压(5000V),同时保持极低的反向漏电流,适用于光伏逆变器、高压直流输电、工业电源等严苛环境。

2.无反向恢复,助力高频应用

传统硅基二极管在开关过程中存在严重的反向恢复电流(Qrr),导致开关损耗大,限制高频应用。而SiC肖特基二极管几乎无反向恢复电荷(Qrr≈0),使其在高频开关电源、光伏逆变、电动汽车OBC(车载充电机)、中表现卓越,可大幅降低EMI噪声并提升功率密度。

3.高温稳定性强,适应恶劣环境

SiC材料的宽禁带特性(~3.3eV)使其在高温环境下仍能保持优异性能。5000V SiC肖特基二极管可在175°C甚至更高温度下稳定工作,远优于硅基器件的极限(通常<150°C),适用于工业电机驱动、航空航天等高温应用。

 

典型应用场景
 

1. 新能源发电:光伏逆变器与储能系统

在1500V/2000V光伏系统中,传统硅二极管面临耐压不足、效率下降等问题。5000V SiC SBD 可大幅减少逆变器的开关损耗,提升MPPT(最大功率点跟踪)效率,同时降低散热需求,助力光伏电站实现更高能量产出。

2.  电动汽车:高压快充与OBC

随着800V高压平台成为电动汽车新趋势,SiC器件在车载充电机(OBC)和DC-DC转换器中扮演关键角色。5000V SiC二极管可优化高压整流效率,缩短充电时间,并减少系统体积和重量,推动超快充技术发展。

3.  智能电网与HVDC输电

在高压直流输电(HVDC)和固态变压器(SST)中,5000V SiC二极管可替代传统硅基方案,降低输电损耗,提高系统可靠性,助力电网智能化升级。

4.  工业电源与电机驱动

工业变频器、焊机电源、感应加热等应用需要高耐压、高频率的功率器件。5000V SiC肖特基二极管可减少开关损耗,提升系统功率密度,并降低散热成本,适用于冶金、矿山等严苛工业环境。

  • 分享到:

 

猜你喜欢

  • 主 题:确保医疗设备安全可靠的解决方案
  • 时 间:2025.06.18
  • 公 司:DigiKey&Littelfuse

  • 主 题:安森美 10BASE-T1S汽车以太网芯片, 赋能智能驾驶架构革新
  • 时 间:2025.06.24
  • 公 司:onsemi