超高压突破！鲁晶半导体推出5000V 碳化硅肖特基二极管引领电力电子新时代

1.超高耐压，突破行业瓶颈

传统硅基二极管在高压领域通常采用PiN结构，但存在反向恢复损耗大、开关速度慢等问题。而5000V SiC肖特基二极管采用先进的JBS（结势垒肖特基）结构，实现了超高耐压（5000V），同时保持极低的反向漏电流，适用于光伏逆变器、高压直流输电、工业电源等严苛环境。

2.无反向恢复，助力高频应用

传统硅基二极管在开关过程中存在严重的反向恢复电流（Qrr），导致开关损耗大，限制高频应用。而SiC肖特基二极管几乎无反向恢复电荷（Qrr≈0），使其在高频开关电源、光伏逆变、电动汽车OBC（车载充电机）、中表现卓越，可大幅降低EMI噪声并提升功率密度。

3.高温稳定性强，适应恶劣环境

SiC材料的宽禁带特性（~3.3eV）使其在高温环境下仍能保持优异性能。5000V SiC肖特基二极管可在175°C甚至更高温度下稳定工作，远优于硅基器件的极限（通常<150°C），适用于工业电机驱动、航空航天等高温应用。

1. 新能源发电：光伏逆变器与储能系统

在1500V/2000V光伏系统中，传统硅二极管面临耐压不足、效率下降等问题。5000V SiC SBD 可大幅减少逆变器的开关损耗，提升MPPT（最大功率点跟踪）效率，同时降低散热需求，助力光伏电站实现更高能量产出。

2.  电动汽车：高压快充与OBC

随着800V高压平台成为电动汽车新趋势，SiC器件在车载充电机（OBC）和DC-DC转换器中扮演关键角色。5000V SiC二极管可优化高压整流效率，缩短充电时间，并减少系统体积和重量，推动超快充技术发展。

3.  智能电网与HVDC输电

在高压直流输电（HVDC）和固态变压器（SST）中，5000V SiC二极管可替代传统硅基方案，降低输电损耗，提高系统可靠性，助力电网智能化升级。

4.  工业电源与电机驱动

工业变频器、焊机电源、感应加热等应用需要高耐压、高频率的功率器件。5000V SiC肖特基二极管可减少开关损耗，提升系统功率密度，并降低散热成本，适用于冶金、矿山等严苛工业环境。