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500V/600V功率MOSFET

关键词:功率MOSFET

时间:2002-09-09 11:46:00      来源:中电网

8月29日讯,IR公司推出新的600V K系列HEXFET产品功率MOSFET,和以前的器件相比,其导通电阻降低45%,能处理TO-247封装的电流多75%。该新型MOSFET设计用在通信系统和数据通信系统中300Whe1300W以上的离线开关电源(SMPS)。此外,IR还准备提供500V K系列MOSFET,有同样的应用。

两种电压范围和众多的电流选择以及导通电阻的数值使设计者能满足大多数设计对成本和性能的要求。600V的器件给同样的设计更多的安全富余度,而500V器件则在更低的成本上有机会增加效率。
和以前的器件相比,新的K系列器件增加效率,输出功率和功率密度,降低器件数目和缩小散热器。更高的效率变成更低的温度,增加了可靠性。新的K系列还把dV/dt的免疫力提高了四倍,更加坚固耐用。低栅极电荷使新器件容易驱动。新型硬开关器件马上可提供。10K量时,600V器件的价格为$1.96,500V器件为$1.39.上图为产品外形图。下表为各种器件的主要参数表。详情请上网:www.irf.com
2002.09.09
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